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RB521S-30

产品描述schottky,200mA 30V VF<0.5V Ir<30uA SOD-523
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小606KB,共2页
制造商伯恩半导体(BORN)
官网地址http://www.born-tw.com/
伯恩半导体(深圳)有限公司(BORNSEMI)是一家以自主研发设计、生产销售为主体的半导体公司,是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计研发与生产销售的高新技术企业,是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成电路核心技术的供应商之一。 BORN专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售,始终以国际一流的电子技术为目标进行规划、研发和生产。公司产品包括:保护器件(TVS、ESD、TSS) 功率器件(MOS、SKY、DIODE、TRANSISTOR),驱动IC,接口芯片等。BORN拥有天津生产基地(与中科院微电子所合资),河南生产基地(晶圆制造与封测),从晶圆设计,流片到封装测试,BORN力求产品品质的高可靠性,打造全产业链闭环。以形成功率类与保护类两大系统产品,品质已达到国际先进水平,特别是我公司低电容系列的半导体保护器件,已拥有自主的知识产权与专利体系。作为过流过压器件领域的行业领先者,我们的产品几乎是所有使用电能的产品不可缺少的组成部分,包括:汽车车上电子系统、 交通信号、设备通信终端、通讯设备家用,工用电器、电力、电源设备、电源输入端的电子线路防护等。
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RB521S-30概述

schottky,200mA 30V VF<0.5V Ir<30uA SOD-523

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RB521S-30
SCHOTTKY
SOD523 Plastic-Encapsulate Schottky Barrier Diode
RHOS
SOD-523
Features
Low Forward Voltage Drop
Flat Lead SOD-523 Small Outline Plastic Package
Extremely Small SOD-523 Package
Surface Device Type Mounting
RoHS Compliant
Green EMC
Matte Tin(Sn) Lead Finish
Band Indicates Cathode
Marking:
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
(
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.)
Symbol
P
D
T
STG
T
J
V
R
I
F(AV)
I
FSM
Parameter
Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
Reverse Voltage
Average Forward Current
Peak Forward Surge Current (At 8.3ms single half sine-wave)
Value
200
-55 to +125
+125
30
200
1
Units
mW
°C
°C
V
mA
A
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
Electrical Characteristics
(
Ratings at 25℃
Symbol
B
V
I
R
V
F
Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Forward Voltage
TCBAT42WS,
ambient temperature unless otherwise specified).
Parameter
Test Condition
I
R
=500µA
V
R
=10V
I
F
=200mA
30
30
0.5
Limits
Min
Max
Volts
µA
Volts
Unit
Rev 8: Nov 2014
www.born-tw.com
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