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MMBT5401

产品描述ransistors,PNP 160V 600mA 300mW HFE=100~300,SOT-23
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小2MB,共2页
制造商伯恩半导体(BORN)
官网地址http://www.born-tw.com/
伯恩半导体(深圳)有限公司(BORNSEMI)是一家以自主研发设计、生产销售为主体的半导体公司,是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计研发与生产销售的高新技术企业,是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成电路核心技术的供应商之一。 BORN专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售,始终以国际一流的电子技术为目标进行规划、研发和生产。公司产品包括:保护器件(TVS、ESD、TSS) 功率器件(MOS、SKY、DIODE、TRANSISTOR),驱动IC,接口芯片等。BORN拥有天津生产基地(与中科院微电子所合资),河南生产基地(晶圆制造与封测),从晶圆设计,流片到封装测试,BORN力求产品品质的高可靠性,打造全产业链闭环。以形成功率类与保护类两大系统产品,品质已达到国际先进水平,特别是我公司低电容系列的半导体保护器件,已拥有自主的知识产权与专利体系。作为过流过压器件领域的行业领先者,我们的产品几乎是所有使用电能的产品不可缺少的组成部分,包括:汽车车上电子系统、 交通信号、设备通信终端、通讯设备家用,工用电器、电力、电源设备、电源输入端的电子线路防护等。
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MMBT5401概述

ransistors,PNP 160V 600mA 300mW HFE=100~300,SOT-23

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MMBT5401
Transistors
SOT-23
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors(PNP)
RHOS
Features
Complementary to MMBT5551
Epitaxial planar die construction
Power Dissipation of 300mW
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
MARKING: 2L
Maximum Ratings
(
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.)
Parameters
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter -Base Voltage
Collector Current-Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Thermal resistance From junction to ambient
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
Tstg
R
θJA
Value
-160
-150
-5
-600
300
150
-55-+150
416
Unit
V
V
V
mA
mW
℃/W
Electrical Characteristics
(
Ratings at 25℃
ambient temperature unless otherwise specified).
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base -emitter saturation voltage
Transition frequency
Symbols
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO *
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
*
h
FE(2)
*
h
FE(3)
*
V
CE(sat)1 *
V
CE(sat)2 *
V
BE(sat)1 *
V
BE(sat)2 *
f
T
Test Condition
I
C
=-100uA, I
E
=0
I
C
=-1mA, I
B
=0
I
E
=-10uA, I
C
=0
V
CB
=-120V, I
E
=0
V
EB
=-4V, I
C
=0
V
CE
=-5V, I
C
=-1mA
V
CE
=-5V, I
C
=-10mA
V
CE
=-5V, I
C
=-50mA
I
C
=-10mA, I
B
=-1mA
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA
I
C
=-10mA, I
B
=-1mA
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA
V
CE
=-5V, I
C
=10mA,f=30MHz
Limits
Min
-160
-150
-5
80
100
30
Max
Unit
V
V
V
nA
nA
-100
-100
300
-0.2
-0.5
-1.00
-1.00
100
V
V
V
V
MHz
*Pulse test: pulse width≤300us, duty cycle≤2.0%
CLASSIFICATION OF h
FE(2)
HFE
RANK
RANGE
L
100-200
100-300
H
200-300
Rev 8: Nov 2014
www.born-tw.com
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