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PESD12VV1BL-N

产品描述极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):5A (8/20us) 箝位电压:24V 击穿电压(最小值):13.3V 反向关断电压(典型值):12V (Max) DFN1006/0402 12V 双向 静电TVS
产品类别分立半导体    TVS二极管   
文件大小952KB,共4页
制造商伯恩半导体(BORN)
官网地址http://www.born-tw.com/
伯恩半导体(深圳)有限公司(BORNSEMI)是一家以自主研发设计、生产销售为主体的半导体公司,是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计研发与生产销售的高新技术企业,是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成电路核心技术的供应商之一。 BORN专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售,始终以国际一流的电子技术为目标进行规划、研发和生产。公司产品包括:保护器件(TVS、ESD、TSS) 功率器件(MOS、SKY、DIODE、TRANSISTOR),驱动IC,接口芯片等。BORN拥有天津生产基地(与中科院微电子所合资),河南生产基地(晶圆制造与封测),从晶圆设计,流片到封装测试,BORN力求产品品质的高可靠性,打造全产业链闭环。以形成功率类与保护类两大系统产品,品质已达到国际先进水平,特别是我公司低电容系列的半导体保护器件,已拥有自主的知识产权与专利体系。作为过流过压器件领域的行业领先者,我们的产品几乎是所有使用电能的产品不可缺少的组成部分,包括:汽车车上电子系统、 交通信号、设备通信终端、通讯设备家用,工用电器、电力、电源设备、电源输入端的电子线路防护等。
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PESD12VV1BL-N概述

极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):5A (8/20us) 箝位电压:24V 击穿电压(最小值):13.3V 反向关断电压(典型值):12V (Max) DFN1006/0402 12V 双向 静电TVS

PESD12VV1BL-N规格参数

参数名称属性值
极性Bidirectional
峰值脉冲电流(10/1000us)5A (8/20us)
箝位电压24V
击穿电压(最小值)13.3V
反向关断电压(典型值)12V (Max)

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PESD12VV1BL-N
ESD Protection Diode
»
Features
120Watts peak pulse power (tp = 8/20μs)
Tiny DFN1006 package
Bidirectional configurations
Solid-state silicon-avalanche technology
Low clamping voltage
Low leakage current
IEC 61000-4-2 ±30kV contact ±30kV air
IEC 61000-4-4 (EFT) 40A(5/50ns)
IEC 61000-4-5 (Lightning) 5A(8/20μs)
»
Applications
»
Mechanical Data
Cell Phone Handsets andAccessories
Microprocessor based equipment
Personal Digital Assistants (PDA’s)
Notebooks, Desktops, and Servers
Portable Instrumentation
DFN1006 package
Molding compound flammability rating: UL 94V-0
Packaging: Tape and Reel
RoHS/WEEE Compliant
»
Schematic & PIN Configuration
DFN1006
Revision 2018
www.born-tw.com
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