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BAV99

产品描述反向恢复时间(trr):6ns 直流反向耐压(Vr):70V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V @ 150mA switching,70V 200mA 1.25V 6ns 一阴一阳,SOT-23
产品类别分立半导体    开关二极管   
文件大小4MB,共2页
制造商伯恩半导体(BORN)
官网地址http://www.born-tw.com/
伯恩半导体(深圳)有限公司(BORNSEMI)是一家以自主研发设计、生产销售为主体的半导体公司,是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计研发与生产销售的高新技术企业,是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成电路核心技术的供应商之一。 BORN专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售,始终以国际一流的电子技术为目标进行规划、研发和生产。公司产品包括:保护器件(TVS、ESD、TSS) 功率器件(MOS、SKY、DIODE、TRANSISTOR),驱动IC,接口芯片等。BORN拥有天津生产基地(与中科院微电子所合资),河南生产基地(晶圆制造与封测),从晶圆设计,流片到封装测试,BORN力求产品品质的高可靠性,打造全产业链闭环。以形成功率类与保护类两大系统产品,品质已达到国际先进水平,特别是我公司低电容系列的半导体保护器件,已拥有自主的知识产权与专利体系。作为过流过压器件领域的行业领先者,我们的产品几乎是所有使用电能的产品不可缺少的组成部分,包括:汽车车上电子系统、 交通信号、设备通信终端、通讯设备家用,工用电器、电力、电源设备、电源输入端的电子线路防护等。
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BAV99概述

反向恢复时间(trr):6ns 直流反向耐压(Vr):70V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V @ 150mA switching,70V 200mA 1.25V 6ns 一阴一阳,SOT-23

BAV99规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)6ns
直流反向耐压(Vr)70V
平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)1.25V @ 150mA

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BAW56/BAV70/BAV99
Switching
SWITCHING
SOT-23
-
Fast Switching Diode
ROHS
Features
Fast Switching Speed
For General Purpose Switching Applications
High Conductance
BAW56 Marking: A1
BAV70 Marking: A4
BAV99 Marking: A7
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
(
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.)
Parameter
Reverse voltage
Forward Current
Peak Forward Surge Current
Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
R
I
F
I
FM(surge)
P
D
R
θJA
T
J
T
STG
Limits
70
200
500
225
556
150
-55-150
Unit
V
mA
mA
mW
℃/W
Electrical Characteristics
(
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified).
Parameter
Reverse Breakdown Voltage
Symbol
V
R
V
F1
Min.
70
Typ.
Max.
Unit
V
I
R
=100μA
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
Conditions
0.715
0.855
1
1.25
2.5
1.5
6
V
V
V
V
μA
pF
ns
Forward voltage
V
F2
V
F3
V
F4
I
F
=150mA
V
R
=70V
V
R
=0,f=1MHz
I
F
= I
R
= 10mA,
Irr= 0.1 x I
R
, R
L
= 100Ω
Reverse current
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
I
R
C
T
t
rr
Rev 8: Nov 2014
www.born-tw.com
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