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ES1D

产品描述直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):950mV @ 1A ultra fast rectifiter,1A 200V,Trr<35ns
产品类别分立半导体    通用二极管   
文件大小261KB,共2页
制造商伯恩半导体(BORN)
官网地址http://www.born-tw.com/
伯恩半导体(深圳)有限公司(BORNSEMI)是一家以自主研发设计、生产销售为主体的半导体公司,是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计研发与生产销售的高新技术企业,是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成电路核心技术的供应商之一。 BORN专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售,始终以国际一流的电子技术为目标进行规划、研发和生产。公司产品包括:保护器件(TVS、ESD、TSS) 功率器件(MOS、SKY、DIODE、TRANSISTOR),驱动IC,接口芯片等。BORN拥有天津生产基地(与中科院微电子所合资),河南生产基地(晶圆制造与封测),从晶圆设计,流片到封装测试,BORN力求产品品质的高可靠性,打造全产业链闭环。以形成功率类与保护类两大系统产品,品质已达到国际先进水平,特别是我公司低电容系列的半导体保护器件,已拥有自主的知识产权与专利体系。作为过流过压器件领域的行业领先者,我们的产品几乎是所有使用电能的产品不可缺少的组成部分,包括:汽车车上电子系统、 交通信号、设备通信终端、通讯设备家用,工用电器、电力、电源设备、电源输入端的电子线路防护等。
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ES1D概述

直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):950mV @ 1A ultra fast rectifiter,1A 200V,Trr<35ns

ES1D规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)200V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)950mV @ 1A

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ES1A-ES1J SERIES
RECTIFIERS
FEATURES
Super fast switching time for high efficiency
Low forward voltage drop and
SMA FAST SURFACE MOUNT RECTIFIERS
SMA
ROHS
high current capability
Low reverse leakage current
Plastic material has UL flammability
.062(1.60)
.055(1.40)
.114(2.90)
.098(2.50)
classification 94V-0
.181(4.60)
.157(4.00)
.012(.305)
.006(.152)
.103(2.62)
.079(2.00)
MECHANICAL DATA
Case: Molded Plastic
Polarity: lndicated by cathode band
Weight: 0.002 ounces,0.064 grams
Mounting position: Any
.060(1.52)
.030(0.76)
.208(5.28)
.188(4.80)
.008(.203)
.002(.051)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surage Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load(JEDEC Method)
Peak Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@T
J
=25℃
@T
J
=100℃
@T
A
=55
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
ES1A
50
35
50
ES1B
100
70
100
ES1D
200
140
200
1.0
ES1G
400
280
400
ES1J
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
30
0.95
30
1.25
5.0
100
35
25
40
-55 to +150
-55 to +150
1.70
A
V
μA
nS
pF
℃/W
Maximum Reverse Recovery Time(Note 1)
Tyical Junction Capacitance (Note2)
Tyical Thermal Resistance (Note3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
NOTES: 1.Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
RR
=0.25A
2.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
3.Thermal resistance junction of ambient.
Rev 8: Nov 2014
www.born-tw.com
112
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