Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> SI2333

SI2333: 产品描述漏源电压（Vdss）：12V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.1A(Tc) 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道 MOSFET,P-channel 12V/8V 5.1A VGS(th)=0.6V 28mΩ@5.1A&4.5V,SOT-23; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小594KB，共2页; 制造商伯恩半导体(BORN); 官网地址http://www.born-tw.com/; 伯恩半导体（深圳）有限公司（BORNSEMI）是一家以自主研发设计、生产销售为主体的半导体公司，是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计研发与生产销售的高新技术企业，是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成电路核心技术的供应商之一。 BORN专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售，始终以国际一流的电子技术为目标进行规划、研发和生产。公司产品包括：保护器件（TVS、ESD、TSS）功率器件（MOS、SKY、DIODE、TRANSISTOR），驱动IC，接口芯片等。BORN拥有天津生产基地（与中科院微电子所合资），河南生产基地（晶圆制造与封测），从晶圆设计，流片到封装测试，BORN力求产品品质的高可靠性，打造全产业链闭环。以形成功率类与保护类两大系统产品，品质已达到国际先进水平，特别是我公司低电容系列的半导体保护器件，已拥有自主的知识产权与专利体系。作为过流过压器件领域的行业领先者，我们的产品几乎是所有使用电能的产品不可缺少的组成部分，包括：汽车车上电子系统、交通信号、设备通信终端、通讯设备家用,工用电器、电力、电源设备、电源输入端的电子线路防护等。

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SI2333概述

漏源电压（Vdss）：12V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.1A(Tc) 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道 MOSFET,P-channel 12V/8V 5.1A VGS(th)=0.6V 28mΩ@5.1A&4.5V,SOT-23

SI2333规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	7.1A(Tc)
栅源极阈值电压	1V @ 250uA
漏源导通电阻	35mΩ @ 5.1A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）	1.25W
类型	P沟道

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MOSFET

SOT-23

SI2333

P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

ROHS

Features



Advanced trench process technology



High Density Cell Design For

Ultra Low On-Resistance

MAXIMUM RANTINGS

Characteristic

Drain-Source oltage

Gate- ource oltage

Drain

Current(continuous)

Drain

Current(pulsed)

Total evice

Dissipation

25℃

Junction

Storage

Temperature

Symbol

DSS

stg

Max

-12

-5.1

-20

1250

150

-55to+150

Unit

℃

Electrical Characteristics

Characteristic

Drain-Source

Breakdown oltage

-250uA,V

=0V)

Gate

Threshold oltage

-250uA,V

)

Diode

Forward oltage

Drop

-1A,V

=0V)

Zero V oltage

Gate

Drain

Current

-12V)

=0V, V

Gate

Body

Leakage

=+8V, V

=0V)

Static

Drain-Source

On-State

Resistance

-5.1A,V

-4.5V)

Static

Drain-Source

On-State

Resistance

-4.5A,V

-2.5V)

Static

Drain-Source

On-State

Resistance

-2A,V

-1.8V)

Input apacitance

-10 V,f=1MHz)

=0V, V

Output apacitance

=0V, V

-10 V,f=1MHz)

Turn-ON

Time

-10 V, I

= 2A,

GEN

)

Turn-OFF

Time

-10 V, I

= 2A,

GEN

)

Rev 8: Nov 2014

Unit Min

Max

Symbol

Typ

DSS

GS(th)

DSS

—

-1

GSS

—

DS(ON)

-12 —

-0.4 -1

—

100

—

mΩ

-1.2 —

ISS

920 —

C —

OSS

220 —

C —

—

(on)

ns t

(off)

—

www.born-tw.com

—

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