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MB10S

产品描述平均整流电流(Io):500mA/800mA 正向压降(Vf):1V @ 500mA 反向峰值电压:1000V rectifier,1A 1000V,MBS
产品类别分立半导体    整流桥   
文件大小736KB,共2页
制造商伯恩半导体(BORN)
官网地址http://www.born-tw.com/
伯恩半导体(深圳)有限公司(BORNSEMI)是一家以自主研发设计、生产销售为主体的半导体公司,是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计研发与生产销售的高新技术企业,是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成电路核心技术的供应商之一。 BORN专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售,始终以国际一流的电子技术为目标进行规划、研发和生产。公司产品包括:保护器件(TVS、ESD、TSS) 功率器件(MOS、SKY、DIODE、TRANSISTOR),驱动IC,接口芯片等。BORN拥有天津生产基地(与中科院微电子所合资),河南生产基地(晶圆制造与封测),从晶圆设计,流片到封装测试,BORN力求产品品质的高可靠性,打造全产业链闭环。以形成功率类与保护类两大系统产品,品质已达到国际先进水平,特别是我公司低电容系列的半导体保护器件,已拥有自主的知识产权与专利体系。作为过流过压器件领域的行业领先者,我们的产品几乎是所有使用电能的产品不可缺少的组成部分,包括:汽车车上电子系统、 交通信号、设备通信终端、通讯设备家用,工用电器、电力、电源设备、电源输入端的电子线路防护等。
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MB10S概述

平均整流电流(Io):500mA/800mA 正向压降(Vf):1V @ 500mA 反向峰值电压:1000V rectifier,1A 1000V,MBS

MB10S规格参数

参数名称属性值
平均整流电流(Io)500mA/800mA
正向压降(Vf)1V @ 500mA
反向峰值电压1000V

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MB1S-MB10S
RECTIFIER
MBS
Glass Passivated Bridge Rectifiers
ROHS
Features
B
-
~
+
~
MB-S
Dim
Min
Max
4.50
4.95
A
3.60
4.10
B
0.15
0.35
C
0.20
D
6.40
7.00
E
 
G
    
0.50
    
1.10




1.30
1.70
H
2.30
2.70
J
2.30
2.70
K
3.00
L
All Dimensions in mm
A
L

J
K
G

Glass Passivated Die Construction
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
High Surge Current Capability
Designed for Surface Mount Application
Plastic Material – UL Flammability 94V-O
Mechanical Data
Case: MB-S, Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: As Marked on Case
Weight: 0.22 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
H
D
C
E
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
(
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.)
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current (Note 1) @T
A
= 40°C
Average Rectified Output Current (Note 2) @T
A
= 40°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
I
2
t Rating for Fusing (t < 8.3ms)
Forward Voltage per element
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
@I
F
= 0.5A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 125°C
Symbo
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
MB1S
MB2S
MB4S
MB6S
MB8S
MB10S
Unit
100
70
200
140
400
280
0.5
0.8
30
5.0
1.0
5.0
500
13
70
20
600
420
800
560
1000
700
V
V
A
I
FSM
I
2
t
V
FM
I
RM
C
j
R
JA
R
JL
T
j
, T
STG
A
A
2
s
V
µA
pF
°C/W
°C
Typical Junction Capacitance per leg (Note 3)
Typical Thermal Resistance per leg (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
-55 to +150
Note: 1. Mounted on glass epoxy PC board with 1.3mm
2
solder pad.
2. Mounted on aluminum substrate PC board with 1.3mm
2
solder pad.
3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
Rev 8: Nov 2014
www.born-tw.com
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