AP10N10K
N-Channel Power MOSFET
AIIP
DATA SHEET
。1W
ER
T 100% Rg & UIS Test
T Simple Drive Requirement
T Fast Switching Characteristic
T R HS
D
BVoss
Ros(ON)
lo
100V
135m0
10A
。
c
。
mpliant & Hal gen-Free
。
G
Description
AP10N10K series are from Advanced Power innovated design and
silicon process technology to achieve the lowest possible on
resistance and fast switching performance. It provides the designer
with an extreme efficient device for use in a wide range of power
applications.
The T0-252 package is widely preferred for all commercial-industrial
SU
『
face mount applications using infrared reflow technique and
suited for high current application due to the low connection
resistance.
s
T0-252（四
Absolute Maximum Ratings＠卫豆豆
。
v
v
－
－
h
m
Symbol
Units
+20
8.1
5.1
28
20.8
2
8
Storage Temperature Range
-55 to 150
-55 to 150
一
由
一
T
＠
产M
呵，品
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℃
v
v
A
A
A
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w
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Operating Junction Temperature Range
℃
℃
T
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N
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一
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w
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D
－
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T
a
Parameter
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Maximum Thermal Resis阳nee, Junction-ambient (PCB mou川）
3
Value
－
川
6
62.5
w
－
w
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v1.0
AP10N10K
AIIP
N-Channel Power MOSFET
DATA SHEET
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．
ER
Electrical Characteristics
＠＇飞＝
25
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C(unless therwise specified)
Symbol
BV
D
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D
S(ON)
V
G
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D
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I
G
ss
O
g
0
9
s
Q9d
½（on)
½（曲
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Parameter
Drain-Source Breakdown Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-Source Leakage Current
Gate-Source Leakage
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain （ Miller' ） Charge
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Gate Resis
伊币
cer
”
’
2
Test Conditions
V
G
s
=
OV, I
D=
250uA
V
G
s
=
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D=
SA
V
G
s
=
4.5V, I
D =
3A
V
D
s
=
V
G
s, I
D=
250uA
V
D
s
=
10V, I
D=
SA
V
D
s
=
BOV, V
G
s
=
OV
V
G
s
＝
土20V, V
D
s
=
OV
I
D=
SA
V
D
s
=
BOV
V
G
s
=
10V
Min.
100
．
．
．
．
．
飞
Typ.
．
．
．
．
17
．
Max.
135
145
3
．
25
Units
v
v
mo
mo
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27
19
2
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Test Conditions
1
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G
s
=
OV
ls
=
SA, VGs
=
OV,
dl/dt
=
1OOA/µs
Min.
．
．
．
Typ.
．
20
18
Max. Units
1.3
．
．
v
ns
nC
Notes:
1.Pulse width limited by Max. junction temperature.
2.Pulse test
3.Surface mounted on 1 in
2
copper pad of FR4 board
4.Starting飞＝25 C , V
DD=
SOV, L
=
1mH, R
G=
250
°
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N-Channel Power MOSFET
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2
V
DS ,
Drain-to-Source Voltage (l1
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．
Fig 1. Typical Output Characteristics
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L
°
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T1’Junction Temperature ( C)
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Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
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A
『
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Vsn, Source-to-Drain Voltage (l1
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T1 ,Junction Temperature (
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Fig 5. Forward Characteristic of
Reverse Diode
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
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G , Total Grlte Charge
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Fig 7. Gate Charge Characteristics
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Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
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VG
10V
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向←→i
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
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Drain Current (A)
Fig 13. Typ. Drain-Source on State
Resistance
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