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AP045N03M

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:N沟道 N沟道,30V,75A,5mΩ@10V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小2MB,共5页
制造商铨力(ALLPOWER)
官网地址http://www.all-power.net
深圳铨力半导体有限公司成立于2016年,是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业。公司研发团队主要来自中国台湾、美国硅谷及內地顶尖技术精英,公司总部坐落于中国深圳,在韩国和广州设有分公司。 铨力依靠专业的自主研发能力和先进的制造能力,为行业提供了超400KK/年的性能卓越的半导体产品,现有产品包括中低压MOSFET、AC-DC电源管理芯片等,铨力已经成为电脑、网通、消费性产品、手机、电池等行业长期合作伙伴,产品远销国内外。 我们始终坚持主动了解客户需求,通过不断研发创新,竭诚为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品和解决方案,为客户的成功提供强力支撑。
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AP045N03M概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:N沟道 N沟道,30V,75A,5mΩ@10V

AP045N03M规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)75A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻6.5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)900mW
类型N沟道

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