AP040N03G: 产品描述漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,80A,3.6mΩ@10V; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小2MB，共5页; 制造商铨力(ALLPOWER); 官网地址http://www.all-power.net; 深圳铨力半导体有限公司成立于2016年，是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业。公司研发团队主要来自中国台湾、美国硅谷及內地顶尖技术精英，公司总部坐落于中国深圳，在韩国和广州设有分公司。铨力依靠专业的自主研发能力和先进的制造能力，为行业提供了超400KK/年的性能卓越的半导体产品，现有产品包括中低压MOSFET、AC-DC电源管理芯片等，铨力已经成为电脑、网通、消费性产品、手机、电池等行业长期合作伙伴，产品远销国内外。我们始终坚持主动了解客户需求，通过不断研发创新，竭诚为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品和解决方案，为客户的成功提供强力支撑。

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AP040N03G概述

漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,80A,3.6mΩ@10V

AP040N03G规格参数

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