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AP4435

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 11A,20V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:P沟道 P沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小3MB,共8页
制造商铨力(ALLPOWER)
官网地址http://www.all-power.net
深圳铨力半导体有限公司成立于2016年,是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业。公司研发团队主要来自中国台湾、美国硅谷及內地顶尖技术精英,公司总部坐落于中国深圳,在韩国和广州设有分公司。 铨力依靠专业的自主研发能力和先进的制造能力,为行业提供了超400KK/年的性能卓越的半导体产品,现有产品包括中低压MOSFET、AC-DC电源管理芯片等,铨力已经成为电脑、网通、消费性产品、手机、电池等行业长期合作伙伴,产品远销国内外。 我们始终坚持主动了解客户需求,通过不断研发创新,竭诚为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品和解决方案,为客户的成功提供强力支撑。
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AP4435概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 11A,20V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:P沟道 P沟道

AP4435规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10.5A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻14mΩ @ 11A,20V
最大功率耗散(Ta=25°C)3W
类型P沟道

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