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FDMS6673BZ

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):82A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6.8mΩ @ 15.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):73W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-82A,6.8mΩ@-10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小617KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FDMS6673BZ在线购买

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FDMS6673BZ概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):82A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6.8mΩ @ 15.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):73W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-82A,6.8mΩ@-10V

FDMS6673BZ规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWER 56, 8 PIN
制造商包装代码483AE
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)90 A
最大漏极电流 (ID)15.2 A
最大漏源导通电阻0.0068 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)1045 pF
JEDEC-95代码MO-240AA
JESD-30 代码R-PDSO-F5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)73 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

 
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