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NST847BDP6T5G

产品描述额定功率:350mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:45V 晶体管类型:2 NPN(双) 双NPN,45V,100mA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小113KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NST847BDP6T5G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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NST847BDP6T5G概述

额定功率:350mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:45V 晶体管类型:2 NPN(双) 双NPN,45V,100mA

NST847BDP6T5G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
制造商包装代码527AD
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.42 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1
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