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CESD2510LC5VU-M

产品描述极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):5A (8/20us) 箝位电压:15V 击穿电压(最小值):6V 反向关断电压(典型值):5V (Max)
产品类别分立半导体    ESD二极管   
文件大小705KB,共4页
制造商达晶微(CREATEK)
官网地址http://www.crea-tek.com/
CREATEK微电子公司成立于美国,于2009进入中国并与中国企业进行了重组,主要从事IGBT、MOSFET、FRD、保护器件、平面磁体的设计、制造和销售,并提供相关的应用解决方案。总部设在中国,三藩研发中心,北美销售中心,深圳、上海、苏州、中国台湾、新加坡销售办事处。
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CESD2510LC5VU-M概述

极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):5A (8/20us) 箝位电压:15V 击穿电压(最小值):6V 反向关断电压(典型值):5V (Max)

CESD2510LC5VU-M规格参数

参数名称属性值
极性Unidirectional
峰值脉冲电流(10/1000us)5A (8/20us)
箝位电压15V
击穿电压(最小值)6V
反向关断电压(典型值)5V (Max)

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CESD2510LC5VU-M
Low Capacitance ESD TVS Array in DFN2510
Features
80Watts
peak pulse power (tp = 8/20μs)
DFN2510
Package
Unidirectional configurations
Solid-state silicon-avalanche technology
Low clamping voltage
Low leakage current
Low capacitance (0.3pF typical I/O to I/O)
ESD Protection for high-speed data lines to:
CREATEK Microelectronics
IEC 61000-4-2 ±15KV contact ±15KV air
IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
IEC 61000-4-5 (Lightning)
3A
(8/20μs)
1
2
Mechanical Data
Applications
USB 3.0, USB 2.0, MHL
HDMI 2.0, Display Port 1.3, eSATA
Unified Display Interface (UDI)
Digital Visual Interface (DVI)
High speed serial interfaces
Case:
DFN2510
(plastic package).
Lead free; RoHS compliant
Molding Compound Flammability Rating:
UL 94 V-0
Terminals:
High temperature soldering guaranteed:
260 °C/10 sec. at terminals
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Peak Pulse Power (T
P
=8/20μS)
Ratings at 25 °C, ambient temperature unless otherwise specified
Symbol
P
PP
V
ESD
I
PP
T
J
T
STG
Value
80
15/15
5.0
-55 to +125
-55 to +150
Unit
W
kV
A
ESD contact/air discharge (IEC-61000-4-2)
Peak Pulse Current ( t
P
= 8/20μS )
Junction Temperature
Storage temperature
Electrical Characteristics
(T
A
= 25 °C unless otherwise specified)
Parameter
Reverse stand-off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage(SURGE)
Trigger Voltage(ESD)
Clamping Voltage(ESD)
Junction Capacitance
Symbol
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
T
V
C
C
J
C
J
Condition
I
T
=1mA
V
R
=5V
I
PP
=5A,T
P
=8/20μS
V
ESD
= +8kV
V
ESD
= +8kV
V
R
=0V,f=1MHz, I/O to I/O
V
R
=0V,f=1MHz, I/O to GND
Min
6
Typ
7.0
10
135
20
0.3
0.4
Max
5
9.5
1
15
Unit
V
V
μA
V
V
V
pF
0.8
pF
Rev.
1.0,
23-May-2012
www.crea-tek.com
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