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CESD0603LC5VB-M

产品描述极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):3.5A (8/20us) 箝位电压:11V 击穿电压(最小值):5.5V 反向关断电压(典型值):5V (Max)
产品类别分立半导体    ESD二极管   
文件大小574KB,共4页
制造商达晶微(CREATEK)
官网地址http://www.crea-tek.com/
CREATEK微电子公司成立于美国,于2009进入中国并与中国企业进行了重组,主要从事IGBT、MOSFET、FRD、保护器件、平面磁体的设计、制造和销售,并提供相关的应用解决方案。总部设在中国,三藩研发中心,北美销售中心,深圳、上海、苏州、中国台湾、新加坡销售办事处。
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CESD0603LC5VB-M概述

极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):3.5A (8/20us) 箝位电压:11V 击穿电压(最小值):5.5V 反向关断电压(典型值):5V (Max)

CESD0603LC5VB-M规格参数

参数名称属性值
极性Bidirectional
峰值脉冲电流(10/1000us)3.5A (8/20us)
箝位电压11V
击穿电压(最小值)5.5V
反向关断电压(典型值)5V (Max)

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CESD0603LC5VB-M
CREATEK Microelectronics
Low Capacitance ESD Protection Diode in
DFN0603
Features
40Watts
peak pulse power (tp = 8/20μs)
Tiny DFN0603 package
Bidirectional configurations
R2R + Zener technology
Low clamping voltage
Low leakage current
Low
capacitance (Cj=2.7pF typ.)
Protection one data/power line to:
2
1
IEC 61000-4-2 ±10kV contact ±15kV air
IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
IEC 61000-4-5 (Lightning)
3.5A
(8/20μs)
Mechanical Data
Applications
Cell Phone Handsets and Accessories
Microprocessor based equipment
Personal Digital Assistants (PDA’s)
Notebooks, Desktops, and Servers
Portable Instrumentation
Case:
DFN0603 (plastic package).
Lead free; RoHS compliant
Molding Compound Flammability Rating:
UL 94 V-0
Terminals:
High temperature soldering guaranteed:
260 °C/10 sec. at terminals
Absolute Maximum Ratings
Ratings at 25 °C, ambient temperature unless otherwise specified
Parameter
Peak Pulse Power (T
P
=8/20μS)
ESD contact/air discharge (IEC-61000-4-2)
Peak Pulse Current ( t
P
= 8/20μS )
Junction Temperature
Storage temperature
Maximum Lead Solder Temperature(10 second duration)
Symbol
P
PP
V
ESD
I
PP
T
J
T
STG
T
L
Value
40
10/15
3.5
-55 to +125
-55 to +150
260
Unit
W
kV
A
Electrical Characteristics
(T
A
= 25 °C unless otherwise specified)
Parameter
Reverse stand-off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage (IEC 61000-4-5)
Clamping Voltage (IEC 61000-4-2)
Junction Capacitance
Symbol
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
C
J
Condition
I
T
=1mA
V
R
=5.0V
I
PP
=3.5A
V
ESD
=8kV
V
R
=0V, f=1MHz
Min
5.5
Typ
6.5
0.1
10
2.7
Max
5.0
8.5
0.5
11
3.5
Unit
V
V
uA
V
V
pF
Rev.
2.0
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