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SR1100

产品描述直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):850mV @ 1A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小931KB,共3页
制造商迪一电子
官网地址http://www.dyelec.com/
迪一电子科技有限公司是一家专业从事各种二极管、整流桥等半导体器件制造的生产型高新技术企业。
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SR1100概述

直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):850mV @ 1A

SR1100规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)850mV @ 1A

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SR120 THRU SR12
5
0
1.0 AMP. Schottky Barrier Rectifiers
Features
·
Low forward voltage drop
·
High current capability
·
High reliability
·
High surge current capability
·
Plastic material-UL flammability 94V-0
MIN.
DIA.
DO-41
Mechanical Data
·
Case: Molded plastic DO-41
·
Terminals: Plated leads solderable per
MIL-STD-202,Method 208 guaranteed
·
Polarity: Color band dentes cathode end
·
Mounting Position: Any
·
Making: Type Number
·
Lead Free: For RoHS/Lead Free Version
DIA.
MIN.
MAX
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified
Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load
For capacitive load derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Average Rectified Output Current (Note 1)
@T
L
=90
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single half
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC
Method)
I
2
t Rating for Fusing (t < 8.3ms)
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
SR SR SR SR SR SR SR SR SR
SR
SR
Unit
120 130 140 145 150 160 180 1100 1150 1200 1250
20
14
20
30
21
30
40
28
40
45
45
50
50
60
42
60
1.0
80
56
80
100 150
70
105
100 150
200
140
200
250
175
250
V
V
V
A
31.5 35
I
FSM
30
A
A
2
s
I
2
t
V
FM
I
R
C
J
0.55
0.1
10.0
3.735
0.7
0.85
0.92
0.05
5.0
110
80
-55 to+150
-55 to+150
0.95
Forward Voltage
@IF=1.0A
@T
A
=25℃
V
mA
pF
℃/W
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage @T
A
=100℃
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to
Ambient(Note 1)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
R
θJA
T
J
T
STG
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case
2. Measured at 1.0 MHz and Applied reverse Voltage of 4.0V D.C
version:02
1of3
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