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S1M

产品描述直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V @ 1A 1000V,1A,VF=1V@1A
产品类别分立半导体    通用二极管   
文件大小737KB,共3页
制造商迪一电子
官网地址http://www.dyelec.com/
迪一电子科技有限公司是一家专业从事各种二极管、整流桥等半导体器件制造的生产型高新技术企业。
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S1M概述

直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V @ 1A 1000V,1A,VF=1V@1A

S1M规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)1kV
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)1V @ 1A

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S1A THRU S1M
1.0 AMP SURFACE MOUNT PASSIVATED RECTIFIERS
Features
·
Glass Passivated Die Construction
·
Low forward voltage drop
·
High current capability
·
High reliability
·
Metal silicon junction,majority carrier conduction
·
Plastic Case Material has UL Flammability
Classication Rating 94V-0
0.083(2.11)
0.075(1.91)
0.154(3.90)
0.130(3.30)
SMB/DO-214AA
0.187(4.75)
0.163(4.15)
Mechanical Data
·
Case: Molded plastic SMB
·
Terminals: Plated leads solderable per
MIL-STD-750,Method 2026 guaranteed
·
Polarity: Color band dentes cathode end
·
Mounting Position: Any
·
Making: Type Number
0.057(1.45)
0.033(0.85)
0.096(2.44)
0.084(2.13)
0.012(0.300)
0.004(0.100)
0.010(0.25)
0.004(0.1)
0.217(5.50)
0.197(5.00)
0.008(0.20)
0.004(0.10)
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified
Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load
For capacitive load derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Average Rectified Output Current
@T
L
=100
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single half
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC
Method)
Forward Voltage
@IF=1.0A
@T
A
=25
Peak Reverse Current
2
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
S1A
50
35
50
S1B
100
70
100
S1D
200
140
200
S1G
400
280
400
1.0
S1J
600
420
600
S1K
800
560
800
S1M
1000
700
1000
Unit
V
V
V
A
I
FSM
V
FM
I
R
I t
2
30
1.0
5.0
100
3.7
A
V
uA
A
2
s
At Rated DC Blocking Voltage @T
A
=125
I t
Rating for fusing (t <8.3ms)
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance Junction to
Ambient(Note 2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
C
J
R
θ JL
T
J
T
STG
12
30
-55 to+150
-55 to +150
pF
℃/W
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and Applied reverse Voltage of 4.0V D.C
2.Thermal Resistance from Junction to
lead mounted on P.C.B. with 0.3" x 0.3" (8.0 mm x 8.0 mm) copper pad areas
version:02
1 of 3
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