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S14

产品描述直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):550mV @ 1A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小1MB,共3页
制造商迪一电子
官网地址http://www.dyelec.com/
迪一电子科技有限公司是一家专业从事各种二极管、整流桥等半导体器件制造的生产型高新技术企业。
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S14概述

直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):550mV @ 1A

S14规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)40V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)550mV @ 1A

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S12 THRU S12
5
1.0 AMP SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
·
Schottky Brrier Chip
·
Low Power Loss,High Efficiency
·
Ideally Suited for Automatic Assembly
·
Surge Overload Rating to 30A Peak
·Plastic
Case Material has UL Flammability
Classification Rating 94V-0
SMAF
Mechanical Data
·
Case: Molded plastic SMAF
·
Terminals: Plated leads solderable per
MIL-STD-750,Method 2026 guaranteed
·
Polarity: Color band denotes cathode end
·
Mounting Position: Any
·
Making: Type Number
Dimiensions in inches and (milimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified
Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load
For capacitive load derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Average Rectified Output Current
@T
L
=90
SYMBOL
S12 S13
S14 S145 S15 S16 S18 S110 S115 S120 S125
Unit
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
20
14
30
21
40
28
40
45
31
45
50
35
50
60
42
60
1.0
80 100
56 70
80 100
150 200 250
105 140 175
150 200
250
V
V
V
A
20 30
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single half
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC I
FSM
Method)
I
2
t Rating for Fusing (t < 8.3ms)
30
3.735
A
A
2
s
I
2
t
V
FM
I
R
C
J
R
θ JL
T
J
T
STG
0.55
0.1
10
Forward Voltage
@IF=1.0A (Note 1)
@T
A
=25
0.7
0.85
0.92
0.05
5
0.95
V
mA
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage @T
A
=100
Typical Junction Capacitance
Typical Thermal Resistance per leg
(Note 2)
28
88
-55 to+150
-55 to +150
pF
℃/W
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Note: 1.Pulse Test with PW=300usec,1%Duty Cycle.
2.Mounted on P.C.Board with 5.0 mm²(0.13mm thick)copper pad areas.
version:02
1of3
www.dyelec.com
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