LP20R100S
高性½副边同步整流驱动芯片
概述
LP20R100S
是一款高性½高耐压的副边同步整流
控制芯片，适用于
AC-DC
的同步整流应用，适用
于正激系统和反激系统。LP20R100S 支持
DCM，
BCM，QR
和
CCM
多种工½模式。
LP20R100S
采用专利的整流管开关技术，
可以有效
的避免因激磁振荡引起的驱动芯片误动½以及在
CCM
工½条件下纯电压判定的关断延迟造成的效
率损失。
LP20R100S
集成
VCC
供电技术，在不需要辅助绕
组供电的情况下，保证芯片
VCC
不会欠压。
LP20R100S
采用
SOP8
封装。
特点
隔离型的同步整流控制应用
适用正激和反激系统
兼容
DCM，BCM，QR，CCM
多种工½模式
100V
功率管耐压
专利的整流管开关技术
集成
VCC
供电
芯片供电欠压保护
芯片过压钳½
芯片启动前驱动脚防误导通
外围元器件少
SOP8
封装
应用
充电器和适配器的同步整流
正激控制器和反激控制器
典型应用
GND
D
VCC
AC
AC
D
VCC
GND
LP20R100S
的½½在输出上端
LP20R100S
的½½在输出下端
图
1 LP20R100S
反激典型应用图
D
VCC
GND
图
2
LP20R100S
正激典型应用图
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LP20R100S
高性½副边同步整流驱动芯片
定购信息
定购型号
封装
包装½式
盘装
4000
颗/盘
打印
LP20R100
Sxxxx
LP20R100S
*XXXX 封装批次号
SOP8
管脚封装
VCC
D
LP20R100
Sxxxx
GND
GND
GND
D
D
D
图 3 管脚封装图
管脚描述
管脚号
1
2，3，4
5，6，7，8
管脚名称
VCC
GND
D
描述
同步整流管的供电脚½，接旁路电容到
GND
同步整流驱动器的芯片地，内接
MOS
管的源极
同步整流驱动器的漏极电压检测脚，并供电
VCC
脚½；内接
MOS
管漏极
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LP20R100S
高性½副边同步整流驱动芯片
极限参数(注 1)
符号
D
VCC
P
DMAX
θ
JA
T
J
T
STG
参数
芯片供电端和同步整流电压检测端
电源电压
功耗(注
2)
PN结到环境的热阻
工½结温范围
储存温度范围
ESD (注 3)
参数范围
-0.3~100
-0.3~8
0.45
120
-40 to 150
-55 to 150
2
单½
V
V
W
℃/W
℃
℃
KV
注
1：
最大极限值是指超出该工½范围，芯片有可½损坏。推荐工½范围是指在该范围内，器件功½正常，½并不完全
保证满足个别性½指标。电气参数定义了器件在工½范围内并且在保证特定性½指标的测试条件下的直流和交流电参数
规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，½其典型值合理反映了器件性½。
注
2：
温度升高最大功耗一定会减小，这也是由
T
JMAX
, θ
JA
,
和环境温度
T
A
所决定的。最大允许功耗为
P
DMAX
= (T
JMAX
-
T
A
)/ θ
JA
或是极限范围给出的数字中比较½的那个值。
注
3：
人½模型，100pF 电容通过
1.5KΩ
电阻放电。
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高性½副边同步整流驱动芯片
电气参数
(注 4, 5)（无特别说明情况下，V
CC
=6 V,T
A
=25℃）
符号
电源电压
V
CC
V
CC_ON
V
CC_UVLO
I
ST
Icc
Vcc_clamp
阈值电压设½
描述
V
CC
工½电压
V
CC
启动电压
V
CC
欠压保护阈值
V
CC
启动电流
V
CC
工½电流
V
CC
钳½电压
整流管开通电压阈值
整流管第一关断阈值
快速比较器屏½时间
快速比较器响应时间
总关断延迟
整流管第二关断阈值
慢速比较器屏½时间
整流管最小死区时间
驱动上升时间
驱动下降时间
功率管导通阻抗
内½功率管击穿电压
说明
最小值
典型值
最大值
单½
D=40V
V
CC
上升
V
CC
下降
V
CC
= V
CC-ON
- 0.5V
5.8
4.0
3.8
300
6.1
4.2
4.0
350
6.5
-0.20
-5
3.6
30
-5
1.6
350
6.4
4.4
4.2
70
400
6.7
-0.15
-2
4.0
10
33
-2
1.8
500
25
10
25
V
V
V
uA
uA
V
V
mV
us
ns
ns
mV
us
ns
ns
ns
mΩ
V
I
CC
=40mA
6.3
-0.25
-8
V
ON
V
OFF1
Tb1
Td1
Td
V
OFF2
Tb2
判定设½
T
DEAD
驱动½力
T
RISE
T
FALL
功率管
R
DS_ON
BV
DSS
快速比较器
3.2
25
-8
1.4
Cg=5nF
慢速比较器
芯片内部设定
100
Cg=5nF
Cg=5nF
V
GS
=6.5V/I
DS
=0.1A
V
GS
=0V/I
DS
=25uA
100
注
4：典型参数值为
25˚C
下测得的参数标准。
注
5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。
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高性½副边同步整流驱动芯片
内部结构框图
VCC
D
电源产生模块
BG
Vref
BG
VREF
IREF
-5mV
UVLO
BG
POK
OFF1
CMP1
OFF2
-5mV
CMP2
D
Vref
原边开通判定
ON
SR_ON
LOGIC
-0.2V
D
CMP
POK
Driver
钳½电路
最小
死区时间
OFF_EN
GND
图
4 LP20R100S
内部框图
应用信息
LP20R100S
是一款高性½高耐压的副边同步整流
芯片，适用于隔离型的同步整流应用，适用于正
激和反激系统，支持
DCM，BCM，CCM
和
QR
多种工½模式。LP20R100S 采用专利的整流管开
关技术，可以有效的避免因激磁振荡引起的驱动
芯片误动½以及在
CCM
工½条件下纯电压判定
的关断延迟造成的效率损失。LP20R100S 集成
VCC
供电技术，
在不需要辅助绕组供电的情况下，
保证芯片
VCC
不会欠压。
启动
½系统上电后，
通过内½
MOS
的½二极管对输出
电容充电，输出电压上升。LP20R100S 通过
D
脚
连接输出电压，½输出电压上升时，经过芯片内
部供电电路，给
VCC
电容充电，½
VCC
的电压
充到开启阈值电压时，芯片内部控制电路开始工
½，
MOS
正常的导通和关断。
MOS
正常的导通时，
电流不再从½二极管流过，
而从
MOS
的沟道流过。
芯片正常工½时，所需的工½电流仍然会通过
D
脚，给
VCC
供电。
同步整流管导通
DCM
工½时，由于电感的激磁½用，½初级芯片
关断时，
会产生振荡。
为了防止误检测振荡信号，
导致同步整流管的异常开启，
LP20R100S
采用专
利的整流管开通技术。
½初级芯片关断时，
次级
LP20R100S
的漏极
D
与
GND
之间的电压迅速下降。
LP20R100S
通过检
测
D
和
GND
之间的下降电压阈值和下降速率，
½
准确的判断同步整流管的开启。
同步整流管关断
为了避免同步整流管导通时，因激磁振荡幅度较
大，导致误检测关断信号，½同步整流管异常的
关断；LP20R100S 通过设½最小死区时间以及设
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