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BZT52C27S

产品描述精度:- 稳压值(典型值):27V 反向漏电流:100nA @ 27V 最大功率:200mW
产品类别分立半导体    稳压二极管   
文件大小120KB,共3页
制造商晶导微电子
官网地址http://www.sdjingdao.com/
山东晶导微电子有限公司是一家致力于半导体分立器件的研发、生产以及销售的大型企业。主要生产全系列的表面贴装系列二极管,公司拥有先进的GPP芯片工艺生产线以及先进的SMD封装生产线,能为客户提供专业化、高效率、低成本的全系列二极管产品。公司引进了具有国际先进水平的自动化生产线和检测设备,聚集了大量半导体行业专业高技术人才,在新产品开发和应用方面都具有独特的优势。公司生产的的SOD123FL和SMAF封装系列产品具有绝对的市场优势。产品广泛应用于绿色照明、开关电源、智能手机、家用电器、LED电源驱动、充电器、各类仪表等领域。
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BZT52C27S概述

精度:- 稳压值(典型值):27V 反向漏电流:100nA @ 27V 最大功率:200mW

BZT52C27S规格参数

参数名称属性值
稳压值(典型值)27V
反向漏电流100nA @ 27V
最大功率200mW

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山东晶导微电子有限公司
Jingdao Microelectronics
Silicon Planar Zener Diodes
BZT52C2V4S~BZT52C43S
PINNING
FEATURES
Total power dissipation: Max. 200mW.
• Wide zener reverse voltage range 2.4V to 43V.
• Ideally suited for automated assembly processes
MECHANICAL DATA
▪Case:
SOD-323
▪Terminals:
Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
A pprox. Weight: 5.48mg / 0.00019oz
PIN
1
2
DESCRIPTION
Cathode
Anode
2
1
Top View
Simplified outline SOD-323 and symbol
Absolute Maximum Ratings And Characteristics
Ta = 25
°C)
Parameter
Power Dissipation (NOTE 1)
Forward Voltage at I
F
= 10 mA(NOTE 2)
Typical thermal resistance juncting to ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P
D
V
F
R
θJA
T
j
, T
stg
Value
200
0.9
625
-55 ~ +150
Unit
mW
V
°C/W
°C
Transient Thermal Impedance(
°C
/W)
Fig.1 Power Derating Curve
250
Fig.2 Typical Transient Thermal Impedance
2000
1000
Power Dissipation P
D
(
W
)
200
150
100
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
10
0.01
0.1
1
10
100
T
a
,Case Temperature (
°C)
t, Pulse Duration(sec)
2017.04
SOD323-W-BZT52C2V4S~BAT52C43S-200mW
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