Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 稳压二极管> MM1Z33

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MM1Z33: 产品描述精度：±5% 稳压值(典型值）：33V 反向漏电流：100nA @ 25V 最大功率：500mW 33V 0.5W; 产品类别分立半导体稳压二极管; 文件大小88KB，共3页; 制造商晶导微电子; 官网地址http://www.sdjingdao.com/; 山东晶导微电子有限公司是一家致力于半导体分立器件的研发、生产以及销售的大型企业。主要生产全系列的表面贴装系列二极管，公司拥有先进的GPP芯片工艺生产线以及先进的SMD封装生产线，能为客户提供专业化、高效率、低成本的全系列二极管产品。公司引进了具有国际先进水平的自动化生产线和检测设备，聚集了大量半导体行业专业高技术人才，在新产品开发和应用方面都具有独特的优势。公司生产的的SOD123FL和SMAF封装系列产品具有绝对的市场优势。产品广泛应用于绿色照明、开关电源、智能手机、家用电器、LED电源驱动、充电器、各类仪表等领域。

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MM1Z33概述

精度：±5% 稳压值(典型值）：33V 反向漏电流：100nA @ 25V 最大功率：500mW 33V 0.5W

MM1Z33规格参数

参数名称	属性值
精度	±5%
稳压值(典型值）	33V
反向漏电流	100nA @ 25V
最大功率	500mW

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山东晶导微电子有限公司

Jingdao Microelectronics

Silicon Planar Zener Diodes

MM1Z2V0 THRU MM1Z75

PINNING

FEATURES

• Total power dissipation: Max. 500mW.

• Wide zener reverse voltage range 2.0V to 75V.

• Small plastic package suitable for surface mounted design.

• Tolerance approximately±5%

DESCRIPTION

Cathode

Anode

MECHANICAL DATA

▪Case:

SOD-123

▪Terminals:

Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Simplified outline SOD-123 and symbol

Absolute Maximum Ratings And Characteristics

（

Ta = 25

°C）

Parameter

Power Dissipation

Forward Voltage at I

= 10 mA

Typical thermal resistance juncting to ambient

Operating and Storage Temperature Range

(1)

Symbol

tot

θJA

, T

stg

Value

500

0.9

340

-55 ~ +150

Unit

°C/W

°C

(1) Thermal resistance from junction to ambient at P.C.B. mounted with 2 .0" X 2.0" (54 X 5 cm) copper areas pads.

Transient Thermal Impedance（

°C

/W）

Fig.1 Maximum Continuous Power Derating

0.6

0.5

Fig.2 Typical Transient Thermal Impedance

2000

1000

Power Dissipation (

)

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

100

125

150

175

100

0.01

0.1

100

,Case Temperature (

°C)

t, Pulse Duration（sec）

2016.11

SOD123-W-MM1Z2V0~MM1Z75-500mW

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