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US2DB

产品描述直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1V @ 2A 反向恢复时间(trr):50ns
产品类别分立半导体    超快恢复二极管   
文件大小128KB,共3页
制造商晶导微电子
官网地址http://www.sdjingdao.com/
山东晶导微电子有限公司是一家致力于半导体分立器件的研发、生产以及销售的大型企业。主要生产全系列的表面贴装系列二极管,公司拥有先进的GPP芯片工艺生产线以及先进的SMD封装生产线,能为客户提供专业化、高效率、低成本的全系列二极管产品。公司引进了具有国际先进水平的自动化生产线和检测设备,聚集了大量半导体行业专业高技术人才,在新产品开发和应用方面都具有独特的优势。公司生产的的SOD123FL和SMAF封装系列产品具有绝对的市场优势。产品广泛应用于绿色照明、开关电源、智能手机、家用电器、LED电源驱动、充电器、各类仪表等领域。
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US2DB概述

直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1V @ 2A 反向恢复时间(trr):50ns

US2DB规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)200V
平均整流电流(Io)2A
正向压降(Vf)1V @ 2A
反向恢复时间(trr)50ns

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US2AB THRU US2MB
SURFACE MOUNT ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 1000 V
Forward Current - 2 A
FEATURES
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Glass Passivated Chip Junction
• Easy to pick and place
• High efficiency
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
MECHANICAL DATA
• Case: SMB
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• A pprox. Weight: 0.095g / 0.003oz
PINNING
PIN
1
2
DESCRIPTION
Cathode
Anode
2
1
Top View
Marking Code: US2A~US2M
Simplified outline SMB and symbol
Maximum Ratings and Electrical characteristics
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60 Hz, resistive or inductive load, for capacitive load current derate by 20 %.
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Symbols
US2AB
50
35
50
US2BB
100
70
100
US2DB US2GB
200
140
200
400
280
400
US2JB
600
420
600
US2KB US2MB Units
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
Maximum RMS voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at T
c
= 125
°C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half
Sine Wave Superimposed on Rated Load
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 2 A
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
T
a
= 25
°C
T
a
=125
°C
2
A
A
1.65
V
I
FSM
50
V
F
1.0
1.3
5
100
50
60
20
-55 ~ +150
I
R
μA
Maximum Reverse Recovery Time
(1)
(2)
t
rr
R
θJA
C
j
T
j
, T
stg
75
ns
°C/W
pF
°C
Typical Thermal Resistance
Typical Junction Capacitance
at V
R
=4V, f=1MHz
Operating and Storage Temperature Range
(1)Measured
with I
F
= 0.5 A, I
R
= 1 A, I
rr
= 0.25 A .
(2)
P.C.B. mounted with 2.0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper pad areas.
2017.04
SMB-U-US2AB~US2MB-2A1KV
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