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MM1Z18B

产品描述精度:±2% 稳压值(典型值):18V 反向漏电流:100nA @ 13V 最大功率:500mW
产品类别分立半导体    稳压二极管   
文件大小88KB,共3页
制造商晶导微电子
官网地址http://www.sdjingdao.com/
山东晶导微电子有限公司是一家致力于半导体分立器件的研发、生产以及销售的大型企业。主要生产全系列的表面贴装系列二极管,公司拥有先进的GPP芯片工艺生产线以及先进的SMD封装生产线,能为客户提供专业化、高效率、低成本的全系列二极管产品。公司引进了具有国际先进水平的自动化生产线和检测设备,聚集了大量半导体行业专业高技术人才,在新产品开发和应用方面都具有独特的优势。公司生产的的SOD123FL和SMAF封装系列产品具有绝对的市场优势。产品广泛应用于绿色照明、开关电源、智能手机、家用电器、LED电源驱动、充电器、各类仪表等领域。
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MM1Z18B概述

精度:±2% 稳压值(典型值):18V 反向漏电流:100nA @ 13V 最大功率:500mW

MM1Z18B规格参数

参数名称属性值
精度±2%
稳压值(典型值)18V
反向漏电流100nA @ 13V
最大功率500mW

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山东晶导微电子股½有限公司
Jingdao Microelectronics co.LTD
Silicon Planar Zener Diodes
MM1Z2V0B THRU MM1Z75B
PINNING
FEATURES
• Total power dissipation: Max. 500mW.
• Wide zener reverse voltage range 2.0V to 75V.
• Small plastic package suitable for surface mounted design.
• Tolerance approximately±2%
PIN
1
2
DESCRIPTION
Cathode
Anode
2
MECHANICAL DATA
▪Case:
SOD-123
▪Terminals:
Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight:16mg/0.00056oz
1
Simplified outline SOD-123 and symbol
Absolute Maximum Ratings And Characteristics
Ta = 25
°C)
Parameter
Power Dissipation
Forward Voltage at I
F
= 10 mA
Typical thermal resistance juncting to ambient
Operating and Storage Temperature Range
(1)
Symbol
P
tot
V
F
R
θJA
T
j
, T
stg
Value
500
0.9
340
-55 ~ +150
Unit
mW
V
°C/W
°C
(1) Thermal resistance from junction to ambient at P.C.B. mounted with 2 .0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper areas pads.
Transient Thermal Impedance(
°C
/W)
Fig.1 Maximum Continuous Power Derating
0.6
0.5
Fig.2 Typical Transient Thermal Impedance
2000
1000
Power Dissipation (
W
)
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
0.01
0.1
1
10
100
T
c
,Case Temperature (
°C)
t, Pulse Duration(sec)
2017.12
SOD123-W-MM1Z2V0B~MM1Z75B-500mW
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