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B5818WS

产品描述直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):550mV @ 1A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小122KB,共3页
制造商晶导微电子
官网地址http://www.sdjingdao.com/
山东晶导微电子有限公司是一家致力于半导体分立器件的研发、生产以及销售的大型企业。主要生产全系列的表面贴装系列二极管,公司拥有先进的GPP芯片工艺生产线以及先进的SMD封装生产线,能为客户提供专业化、高效率、低成本的全系列二极管产品。公司引进了具有国际先进水平的自动化生产线和检测设备,聚集了大量半导体行业专业高技术人才,在新产品开发和应用方面都具有独特的优势。公司生产的的SOD123FL和SMAF封装系列产品具有绝对的市场优势。产品广泛应用于绿色照明、开关电源、智能手机、家用电器、LED电源驱动、充电器、各类仪表等领域。
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B5818WS概述

直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):550mV @ 1A

B5818WS规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)30V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)550mV @ 1A

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山东晶导微电子有限公司
Jingdao Microelectronics
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
FEATURES
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• Guarding for overvoltage protection
• Low power loss, high efficiency
• High current capability
• low forward voltage drop
• High surge capability
• For use in low voltage, high frequency inverters,
free wheeling, and polarity protection applications
B5817WS THRU B5819WS
PINNING
PIN
1
2
DESCRIPTION
Cathode
Anode
2
1
Top View
Marking Code: B5817WS---SJ
B5818WS---SK
B5819WS---SL
Simplified outline SOD-323 and symbol
MECHANICAL DATA
▪Case:
SOD-323
▪Terminals:
Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
A pprox. Weight: 5.48mg / 0.00019oz
Maximum Ratings and Electrical characteristics
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
B5817WS
20
14
20
B5818WS
30
21
30
B5819WS
40
28
40
Units
V
V
V
Maximum RMS voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
1
A
A
0.6
0.9
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-wave
Superimposed On Rated Load (JEDEC method)
at 1 A
at 3 A
I
FSM
0.45
0.75
9
0.55
0.875
1
10
110
-55 ~ +150
Maximum Instantaneous Forward Voltage
V
F
V
Maximum Instantaneous Reverse Current at TA = 25°C
Rated DC Reverse Voltage
TA = 100°C
Typical Junction Capacitance
I
R
C
j
T
j
, T
stg
mA
pF
°C
Storage and Operating Junction Temperature Range
2016.10
SOD323-S-B5817WS~B5819WS-1A40V
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