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MSB35K

产品类别分立半导体    整流桥   
文件大小167KB,共3页
制造商晶导微电子
官网地址http://www.sdjingdao.com/
山东晶导微电子有限公司是一家致力于半导体分立器件的研发、生产以及销售的大型企业。主要生产全系列的表面贴装系列二极管,公司拥有先进的GPP芯片工艺生产线以及先进的SMD封装生产线,能为客户提供专业化、高效率、低成本的全系列二极管产品。公司引进了具有国际先进水平的自动化生产线和检测设备,聚集了大量半导体行业专业高技术人才,在新产品开发和应用方面都具有独特的优势。公司生产的的SOD123FL和SMAF封装系列产品具有绝对的市场优势。产品广泛应用于绿色照明、开关电源、智能手机、家用电器、LED电源驱动、充电器、各类仪表等领域。
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MSB35B THRU MSB35M
3.5A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
FEATURES:
• Glass Passivated Chip Junction
• Reverse Voltage - 100 to 1000 V
• Forward Current - 3.5 A
• High Surge Current Capability
• Designed for Surface Mount Application
MECHANICAL DATA
• Case: UMSB
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
PINNING
PIN
1
2
3
4
1
DESCRIPTION
Output
Anode(+)
Output
Cathode(-)
Input Pin(~)
Input Pin(~)
(2)
-
(1)
+
2
4
3
UMSB Package
(3)
• A pprox. Weight: 0.234g / 0.00825oz
~
(4)
~
Maximum Ratings and Electrical characteristics
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60 Hz, resistive or inductive load, for capacitive load current derate by 20 %.
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
MSB35B
MSB35D MSB35G
MSB35J
MSB35K
MSB35M
Units
V
V
V
100
70
100
200
140
200
400
280
400
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
Maximum RMS voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Average Rectified Output Current
I
O
3.5
A
Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half
Sine Wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at 3.5 A
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@
T
A
=25
°C
@
T
A
=125
°C
I
FSM
90
A
V
F
1.1
5
100
50
60
10
25
-55 ~ +150
V
I
R
μA
Typical Junction Capacitance(Note1)
C
j
R
θJA
R
θJC
R
θJL
T
j
, T
stg
pF
Typical Thermal Resistance(Note2)
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
°C
Note: 1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C.
2. Mounted on glass epoxy PC board with 4×1.5"
×
1.5"
3.81
×
3.81 cm
)copper
pad.
2018.01
UMSB-A-MSB35B~MSB35M-3.5A1KV
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