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MB110F

产品类别分立半导体    整流桥   
文件大小131KB,共3页
制造商晶导微电子
官网地址http://www.sdjingdao.com/
山东晶导微电子有限公司是一家致力于半导体分立器件的研发、生产以及销售的大型企业。主要生产全系列的表面贴装系列二极管,公司拥有先进的GPP芯片工艺生产线以及先进的SMD封装生产线,能为客户提供专业化、高效率、低成本的全系列二极管产品。公司引进了具有国际先进水平的自动化生产线和检测设备,聚集了大量半导体行业专业高技术人才,在新产品开发和应用方面都具有独特的优势。公司生产的的SOD123FL和SMAF封装系列产品具有绝对的市场优势。产品广泛应用于绿色照明、开关电源、智能手机、家用电器、LED电源驱动、充电器、各类仪表等领域。
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MB14F THRU MB120F
1A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BRIDGE
FEATURES:
Reverse Voltage - 40 to 200 V
Forward Current - 1 A
High Surge Current Capability
Designed for Surface Mount Application
PINNING
PIN
1
2
3
4
DESCRIPTION
Input Pin(~)
Input Pin(~)
Output
Anode(+)
Output
Cathode(-)
MECHANICAL DATA
• Case: MBF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• A pprox. Weight: 75mg 0.0024oz
3
4
1
2
MBF Package
Maximum Ratings and Electrical characteristics
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60 Hz, resistive or inductive load, for capacitive load current derate by 20 %.
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
MB14F
40
28
40
MB16F
60
42
60
MB18F
80
56
80
MB110F
100
70
100
MB115F
150
105
150
MB120F
200
140
200
Units
V
V
V
A
Maximum RMS voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
1.0
Peak Forward Surge Current,8.3ms
Single Half Sine-wave Superimposed
on Rated Load (JEDEC method)
I
FSM
40
30
A
Max Instantaneous Forward Voltage at 1 A
V
F
0.55
0.3
10
110
0.70
0.85
0.2
5
80
100
-55 ~ +150
-55 ~ +150
0.90
0.1
2
V
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Reverse Voltage
T
a
= 25°C
T
a
=100°C
I
R
mA
Typical Junction Capacitance
1)
C
j
R
θJA
T
j
T
stg
pF
°C/W
Typical Thermal Resistance
2)
Operating Junction Temperature Range
°C
°C
Storage Temperature Range
Note: 1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C.
2. Mounted on glass epoxy PC board with 4×1.5"
×
1.5"
3.81
×
3.81 cm
)copper
pad.
2016.01
MBF-S-MB14F~MB120F-1A200V
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