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BAV21WS

产品描述反向恢复时间(trr):50ns 直流反向耐压(Vr):250V 平均整流电流(Io):250mA 正向压降(Vf):1.25V @ 200mA 250V,250mA
产品类别分立半导体    开关二极管   
文件大小117KB,共3页
制造商晶导微电子
官网地址http://www.sdjingdao.com/
山东晶导微电子有限公司是一家致力于半导体分立器件的研发、生产以及销售的大型企业。主要生产全系列的表面贴装系列二极管,公司拥有先进的GPP芯片工艺生产线以及先进的SMD封装生产线,能为客户提供专业化、高效率、低成本的全系列二极管产品。公司引进了具有国际先进水平的自动化生产线和检测设备,聚集了大量半导体行业专业高技术人才,在新产品开发和应用方面都具有独特的优势。公司生产的的SOD123FL和SMAF封装系列产品具有绝对的市场优势。产品广泛应用于绿色照明、开关电源、智能手机、家用电器、LED电源驱动、充电器、各类仪表等领域。
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BAV21WS概述

反向恢复时间(trr):50ns 直流反向耐压(Vr):250V 平均整流电流(Io):250mA 正向压降(Vf):1.25V @ 200mA 250V,250mA

BAV21WS规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)50ns
直流反向耐压(Vr)250V
平均整流电流(Io)250mA
正向压降(Vf)1.25V @ 200mA

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山东晶导微电子有限公司
Jingdao Microelectronics
FEATURES
For surface mounted applications
Glass Passivated Chip Junction
Fast reverse recovery time
Ideal for automated placement
Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
MECHANICAL DATA
▪Case:
SOD-323
▪Terminals:
Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
BAV19WS / BAV20WS / BAV21WS
PINNING
PIN
1
2
DESCRIPTION
Cathode
Anode
2
1
Top View
Simplified outline SOD-323 and symbol
Absolute Maximum Ratings at 25
°C
Symbols
V
RRM
V
RMS
I
F
I
FRM
at 1s
at 1ms
at 1 us
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
BAV19WS
120
100
BAV20WS
200
150
250
625
1
3
9
500
-55 ~ +150
BAV21WS
250
200
Units
V
V
Maximum RMS voltage
Continuous
Forward Current
Repetitive Peak Forward Current
mA
mA
A
mW
°C
Non-reptitive Peak Forward Surge Current
I
FSM
Total Power Dissipation
P
tot
T
j
, T
stg
Operating and Storage Temperature Range
Characteristics at
T
a
= 25
°C
Parameter
Reverse Breakdown Voltage at I
R
=100
μA
at 100 m A
at 200 m A
T
a
= 25
°C
T
a
=150
°C
Symbols
V
(BR)R
BAV19WS
120
BAV20WS
200
1.00
1.25
0.1
100
5
50
BAV21WS
250
Units
V
Maximum Forward Voltage
V
F
V
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance
at V
R
=4V, f=1MHz
I
R
μA
pF
ns
C
j
t
rr
Maximum Reverse Recovery Time
2016.01
SOD323-K-BAV19WS/BAV20WS/BAV21WS
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