Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 触发二极管> DB3W

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DB3W: 产品描述转折电流：50uA 转折触发电压：28 ~ 36V 峰值输出电流：2A 双向触发二极管; 产品类别分立半导体触发二极管; 文件大小139KB，共3页; 制造商晶导微电子; 官网地址http://www.sdjingdao.com/; 山东晶导微电子有限公司是一家致力于半导体分立器件的研发、生产以及销售的大型企业。主要生产全系列的表面贴装系列二极管，公司拥有先进的GPP芯片工艺生产线以及先进的SMD封装生产线，能为客户提供专业化、高效率、低成本的全系列二极管产品。公司引进了具有国际先进水平的自动化生产线和检测设备，聚集了大量半导体行业专业高技术人才，在新产品开发和应用方面都具有独特的优势。公司生产的的SOD123FL和SMAF封装系列产品具有绝对的市场优势。产品广泛应用于绿色照明、开关电源、智能手机、家用电器、LED电源驱动、充电器、各类仪表等领域。

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DB3W概述

转折电流：50uA 转折触发电压：28 ~ 36V 峰值输出电流：2A 双向触发二极管

DB3W规格参数

参数名称	属性值
转折电流	50uA
转折触发电压	28 ~ 36V
峰值输出电流	2A

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山东晶导微电子有限公司

Jingdao Microelectronics

Silicon Bidirectional Trigger Diodes

FEATURES

These diacs are intended for use in thyristor phase control.

circuits for lamp-dimming. universal-motor speed controls.

and heat controls.

MECHANICAL DATA

▪Case:

SOD-123FL

▪Terminals:

Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

▪Approx.

Weight:15mg 0.00048oz

DB3W / DC34W / DB4W

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Top View

Marking Code：

DB3W / DC34W / DB4W

Simplified outline SOD-123FL and symbol

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

°C

)

Parameter

Power Dissipation (T

= 100

°C

)

Repetitive Peak On-state Current (tp = 20 µs, f = 100 Hz)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

tot

TRM

, T

stg

Value

150

- 40 to + 125

Unit

°C

Characteristics at T

= 25

°C

Parameter

DB3W

Symbol

Min.

Max.

Unit

Breakover Voltage

at C = 22 nF, see diagram 1

DC34W

DB4W

Breakover Voltage Symmetry

at C = 22 nF, see diagram 1

Dynamic Breakover Voltage

△I

= [I

to I

= 10 mA]

Output Voltage

See diagram 2

Breakover Current

at C = 22 nF

Leakage Current

at V

=0.5V

max

Rise Time

See diagram 3

[|+V

|-|- V

△V

± |

μA

μs

2016.01

SOD123FL-DB-DB3W~DB4W-150mW

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