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3DD13002B1

产品描述额定功率:800mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=400V,Ic=500mA
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小198KB,共5页
制造商华润华晶
官网地址http://www.crhj.com.cn/cn/index.php
无锡华润华晶微电子有限公司,是华润微电子旗下负责功率半导体器件业务的国家重点高新技术企业,中国半导体协会分立器件分会副理事长单位,生产国内著名的“华晶”牌分立器件。
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3DD13002B1概述

额定功率:800mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=400V,Ic=500mA

3DD13002B1规格参数

参数名称属性值
额定功率800mW
集电极电流Ic500mA
集射极击穿电压Vce400V
晶体管类型NPN

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硅三重扩散
NPN
双极型晶½管
R
3DD13002 B1
产品概述
3DD13002 B1
是硅
NPN
型功率开关晶½管,
该产品
采用平面工艺,
分压环终端
结构和少子寿½控制技术,
提高了产品的击穿电压、
关速度和可靠性。
产品特点
开关损耗½
反向漏电流小
高温特性½
合适的开关速度
可靠性高
符 号
V
CEO
I
C
特征参数
额定值
400
0.5
0.8
单 ½
V
A
W
P
tot
(T
a
=25℃)
应用
紧凑型电子节½灯
电子镇流器
一般功率开关电路
封装
TO-92
存储条件和焊接温度
内部结构图
存放有效期
存放条件
环境温度-10℃½40℃
1
相对湿度 <85%
265℃
B
极限耐焊接热
C
E
极限值
(除非另有规定,T
a
= 25℃)
参 数 名 称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
符 号
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
额定值
600
400
9
0.5
1
0.25
0.5
0.8
150
-55½150
单 ½
V
V
V
A
A
A
A
W
热 阻
参数名称
结到环境的热阻
符号
R
θJA
最小值
典型值
最大值
156
单½
℃/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/5
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