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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> CS13N50FA9H

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CS13N50FA9H: 产品描述漏源电压（Vdss）：500V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,13A,340mΩ@10V; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小227KB，共10页; 制造商华润华晶; 官网地址http://www.crhj.com.cn/cn/index.php; 无锡华润华晶微电子有限公司，是华润微电子旗下负责功率半导体器件业务的国家重点高新技术企业，中国半导体协会分立器件分会副理事长单位，生产国内著名的“华晶”牌分立器件。

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CS13N50FA9H概述

漏源电压（Vdss）：500V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,13A,340mΩ@10V

CS13N50FA9H规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	13A(Tc)
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	450mΩ @ 6.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	60W(Tc)
类型	N沟道

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