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CS630A8H

产品描述漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:280mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小716KB,共10页
制造商华润华晶
官网地址http://www.crhj.com.cn/cn/index.php
无锡华润华晶微电子有限公司,是华润微电子旗下负责功率半导体器件业务的国家重点高新技术企业,中国半导体协会分立器件分会副理事长单位,生产国内著名的“华晶”牌分立器件。
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CS630A8H概述

漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:280mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道

CS630A8H规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻280mΩ @ 5.4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)83W(Tc)
类型N沟道

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Silicon
N-Channel
Power MOSFET
R
CS630 A8H
General Description
CS630
A8H,
the
silicon
N-channel
Enhanced
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology
which reduce the conduction loss, improve switching
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
can be used in various power switching circuit for system
miniaturization and higher efficiency. The package form is
TO-220AB, which accords with the RoHS standard.
V
DSS
I
D
P
D
(T
C
=25℃)
R
DS(ON)Typ
200
9
83
0.23
V
A
W
Features:
l
Fast Switching
l
Low ON Resistance(
Rdson≤0.28Ω
)
l
Low Gate Charge
(
Typical Data:13nC
)
l
Low Reverse transfer capacitances
(Typical:10pF)
l
100% Single Pulse avalanche energy Test
Applications
Automotive、DC Motor Control and Class D Amplifier.
Absolute
(Tc=
25℃ unless otherwise specified)
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
a1
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current T
C
= 100
°C
Pulsed Drain Current
Gate-to-Source Voltage
Rating
200
9
5.5
36
±30
460
50
3.2
5.0
83
0.67
150,–55 to 150
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
mJ
A
V/ns
W
W/℃
V
GS
E
AS
E
AR
I
AR
a2
a1
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Energy ,Repetitive
Avalanche Current
a1
a3
dv/dt
P
D
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation
Derating Factor above 25°C
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum Temperature for Soldering
T
J
,T
stg
T
L
W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D .
Page 1 of 10
2 0 1 5 V0 1
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