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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 三极管> 3DD3040A3-H

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3DD3040A3-H: 产品描述额定功率：1.1W 集电极电流Ic：2A 集射极击穿电压Vce：450V 晶体管类型：NPN NPN,Vceo=450V,Ic=2A; 产品类别分立半导体三极管; 文件大小168KB，共4页; 制造商华润华晶; 官网地址http://www.crhj.com.cn/cn/index.php; 无锡华润华晶微电子有限公司，是华润微电子旗下负责功率半导体器件业务的国家重点高新技术企业，中国半导体协会分立器件分会副理事长单位，生产国内著名的“华晶”牌分立器件。

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3DD3040A3-H概述

额定功率：1.1W 集电极电流Ic：2A 集射极击穿电压Vce：450V 晶体管类型：NPN NPN,Vceo=450V,Ic=2A

3DD3040A3-H规格参数

参数名称	属性值
额定功率	1.1W
集电极电流Ic	2A
集射极击穿电压Vce	450V
晶体管类型	NPN

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硅三重扩散

NPN

双极型晶½管

3DD3040 A3

产品概述

3DD3040 A3

是硅

NPN

型功率开关晶½管，

该产品

采用平面工艺，

分压环终端

结构和少子寿½控制技术，

提高了产品的击穿电压、

开

关速度和可靠性。

R

○

产品特点

●

开关损耗½

●

反向漏电流小

●

高温特性½

●

反向击穿电压高

●

可靠性高

符号

V

CEO

I

C

特征参数

额定值

450

2

30

单 ½

V

A

W

P

tot

（T

C

=25℃）

应用

●

充电器

●

适配器

●

一般功率开关电路

封装

TO-251

存储条件和焊接温度

内部结构图

存放有效期

存放条件

环境温度-10℃½40℃

1

年

相对湿度＜85％

265℃

B

极限耐焊接热

C

极限值

（除非另有规定，T

a

= 25℃）

参数名称

集电极-基极电压

集电极-发射极电压

发射极-基极电压

集电极直流电流

集电极脉冲电流（tp＜5ms）

基极直流电流

基极脉冲电流（tp＜5ms）

耗散功率

结温

贮存温度

Ta=25℃

Tc=25℃

符号

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

tot

T

j

T

stg

额定值

700

450

9

2

4

1

2

1.1

30

150

-55½150

E

单 ½

V

V

V

A

A

A

A

W

℃

℃

热阻

参数名称

结到壳的热阻

结到环境的热阻

符号

R

θJC

R

θJA

最小值

典型值

最大值

4.2

113.6

单½

℃/W

℃/W

无锡华润华晶微电子有限公司

2015V01

1/4

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