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3DD13003F1D

产品描述额定功率:800mW 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=400V,Ic=1.5A
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小196KB,共5页
制造商华润华晶
官网地址http://www.crhj.com.cn/cn/index.php
无锡华润华晶微电子有限公司,是华润微电子旗下负责功率半导体器件业务的国家重点高新技术企业,中国半导体协会分立器件分会副理事长单位,生产国内著名的“华晶”牌分立器件。
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3DD13003F1D概述

额定功率:800mW 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=400V,Ic=1.5A

3DD13003F1D规格参数

参数名称属性值
额定功率800mW
集电极电流Ic1.5A
集射极击穿电压Vce400V
晶体管类型NPN

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硅三重扩散
NPN
双极型晶½管
R
3DD13003 F1D
产品概述
3DD13003 F1D
是硅
NPN
型功率开关晶½管,该
产品采用平面工艺,
分压环
终端结构和少子寿½控制
技术,
集成了有源抗饱和½
络,提高了产品的击穿电
压、开关速度和可靠性。
产品特点
开关损耗½
反向漏电流小
高温特性½
合适的开关速度
可靠性高
符 号
V
CEO
I
C
特征参数
额定值
400
1.5
0.8
单 ½
V
A
W
P
tot
(T
a
=25℃)
应用
紧凑型电子节½灯
电子镇流器
一般功率开关电路
封装
TO-92
存储条件和焊接温度
内部结构图
存放有效期
存放条件
环境温度-10℃½40℃
1
相对湿度 <85%
E
极限耐焊接热
B
C
265℃
极限值
(除非另有规定,T
a
= 25℃)
参 数 名 称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
符 号
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
额定值
600
400
9
1.5
3
0.75
1.5
0.8
150
-55½150
单 ½
V
V
V
A
A
A
A
W
热 阻
参数名称
结到环境的热阻
符号
R
θJA
最小值
典型值
最大值
156
单½
℃/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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