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WSD3066DN33

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道 N沟道.30V/66A.5.5mΩ.功能与脚位等同AON7534
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小688KB,共6页
制造商微硕(WINSOK)
官网地址http://www.winsok.tw/cn/index.aspx
WINSOK为一家专业功率半导体元件及数模IC的设计公司。透过对产品的持续创新,结合市场需求不断接受新挑战,持续精益深耕技术研发。致力提供卓越的设计和性能可靠的产品,以快速的响应与服务满足客户需求。为客户和员工创造价值。并保持不断累积和突破,开拓持续永久发展。让WINSOK能为全球智能化的进程尽一份努力,进 而成为世界卓越的设计公司。
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WSD3066DN33概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道 N沟道.30V/66A.5.5mΩ.功能与脚位等同AON7534

WSD3066DN33规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻5.7mΩ @ 35A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)45W(Tc)
类型N沟道

参考设计

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