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VBL2658: 产品描述漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：48mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：61W 类型：P沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小474KB，共7页; 制造商台湾微碧(VBsemi); 官网地址http://www.vbsemi.tw/; VBsemi成立于2000年，是国内MOSFET最具竞争力之功率半导体组件制造厂。本公司已取得多项产品发明专利，并经ISO14001、QS9000、ISO9001认证。 VBsemi是台湾一家自行研发、生产、销售MOSFET自有品牌的公司。从组件设计、晶圆加工、封装、特性分析、测试全程作业以及客户服务，营销全球。本公司产品已被广泛应用于UPS、Power Inverter、CCFL、DC Fan、SMPS、Adapter、Lighting、Battery、DC-DC、LCD Monitor等领域。

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VBL2658概述

漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：48mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：61W 类型：P沟道

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