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VBE2305

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):187W 类型:P沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小555KB,共8页
制造商台湾微碧(VBsemi)
官网地址http://www.vbsemi.tw/
VBsemi成立于2000年,是国内MOSFET最具竞争力之功率半导体组件制造厂。本公司已取得多项产品发明专利,并经ISO14001、QS9000、ISO9001认证。 VBsemi是台湾一家自行研发、生产、销售MOSFET自有品牌的公司。从组件设计、晶圆加工、封装、特性分析、测试全程作业以及客户服务,营销全球。本公司产品已被广泛应用于UPS、Power Inverter、CCFL、DC Fan、SMPS、Adapter、Lighting、Battery、DC-DC、LCD Monitor等领域。
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VBE2305概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):187W 类型:P沟道

VBE2305规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻6mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)187W
类型P沟道

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VBE2305
www.VBsemi.com
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 30
R
DS(on)
()
0.005 at V
GS
= - 10 V
0.0
07
at V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
a
-100
-
90
FEATURES
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
Available
RoHS*
COMPLIANT
S
TO-252
G
G
D
Top View
S
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175 °C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
b
Power Dissipation
L = 0.1 mH
T
C
= 25 °C (TO-220AB and TO-263)
T
A
= 25 °C (TO-263)
c
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
Symbol
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
stg
Limit
± 20
- 100
a
- 90
- 280
- 80
180
187
d
3.75
- 55 to 175
mJ
W
°C
A
Unit
V
Operating Junction and Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
Notes:
a. Package limited.
b. Duty cycle
1 %.
c. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
d. See SOA curve for voltage derating.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
PCB Mount (TO-263)
c
Symbol
Free Air (TO-220AB)
R
thJA
R
thJC
Limit
40
62.5
0.8
Unit
°C/W
1
关于24Cxx 的寻址求助
论坛源程序在此 https://home.eeworld.com.cn/my/space-uid-93649-blogid-77560.html 疑问? 他的程序的移位语句 #if EEPROM < 32 PageAddress=(u8)(ReadAddress>>7)&0x0E|ReadAddress_E ......
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