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VBQF1303

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小594KB,共8页
制造商台湾微碧(VBsemi)
官网地址http://www.vbsemi.tw/
VBsemi成立于2000年,是国内MOSFET最具竞争力之功率半导体组件制造厂。本公司已取得多项产品发明专利,并经ISO14001、QS9000、ISO9001认证。 VBsemi是台湾一家自行研发、生产、销售MOSFET自有品牌的公司。从组件设计、晶圆加工、封装、特性分析、测试全程作业以及客户服务,营销全球。本公司产品已被广泛应用于UPS、Power Inverter、CCFL、DC Fan、SMPS、Adapter、Lighting、Battery、DC-DC、LCD Monitor等领域。
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VBQF1303概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W 类型:N沟道

VBQF1303规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻4mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)52W
类型N沟道
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