Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> UMW8205A

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UMW8205A: 产品描述漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：27mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：双N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小685KB，共4页; 制造商友台半导体(UMW); 官网地址http://www.umw-ic.com/; UMW 是中国大陆领先的 LDO、MOSFET、DC/DC、RS-232、RS-485、ESD/TVS、光耦合器、逻辑电路、温度传感器供应商。UTD 的解决方案可实现低风险开发、降低总体系统成本并加快各种全球应用的上市时间。

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UMW8205A概述

漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：27mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：双N沟道

UMW8205A规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	5A
栅源极阈值电压	1.2V @ 250uA
漏源导通电阻	27mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）	830mW
类型	双N沟道

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UMW

UMW 8205A

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES

20V

N-channel Trench Mosfet

RDSON≤27mΩ @Vgs=4.5V, Id=5A

RDSON≤36mΩ @Vgs=2.5V, Id=3A

Low gate Charge

Fast switching capability

High reliability and rugged

SYMBOL

APPLIACTION

Portable Equipment

Battery Powered System

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current(Note1)

Power Dissipation (TA=25°C) (Note 2)

Thermal Resistance-Junction to Ambient

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

Note: 1. Pulse Test: Pulse width≤300μs, Duty cycle≤2%

2. Pulse width limited by TJ(MAX)

Continuous

Pulsed

TA=25°C

TA=100°C

Symbol

DSS

GSS

θJA

STG

Rating

±12

0.83

0.3

150

-55 to 150

°C/W

°C

Unit

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

（T

=25℃,unless otherwise Noted）

Parameter

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

Drain-Source Leakage Current

Gate-Source Leakage Current

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

Drain-Source On-State Resistance

GS(TH)

DS(ON)

VDS=VGS, ID=250µA

VGS=4.5V, ID=5.0A

VGS=2.5V, ID=3A

0.5

1.2

mΩ

DSS

GSS

VGS=0V, ID=250µA

VDS=20V, VGS=0V

VGS=±8V

±100

Symbol

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Unit

www.umw-ic.com

友台半导½有限公司

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