TDM3426B,TDM3426B pdf中文资料,TDM3426B引脚图,TDM3426B电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> TDM3426B

TDM3426B: 产品描述漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道 N沟道 30V 16mΩ@4.5V; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小357KB，共8页; 制造商泰德(Techcode); 官网地址http://www.techcodesemi.com/cn/index.asp; 在高端模拟电路设计和生产领域，美国泰德半导体有限公司已具有12年的综合设计经验。我们不但具备世界领先的模拟电路设计技术，而且还具有一套更为完整、更为先进的产品品质管理方法。由于采用了“无生产线设计公司”的生产方式，我们在商业运作上，运用更为高效的晶圆代工合作模式，从而可以快速地使用先进且时效性更强的技术，设计出性价比更高的高端模拟电路产品，进而可以在日益增长的市场需求中，迅速满足客户对高端产品的需要

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TDM3426B概述

漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道 N沟道 30V 16mΩ@4.5V

TDM3426B规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	18A(Tc)
栅源极阈值电压	2.5V @ 250uA
漏源导通电阻	10mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	3.5W
类型	N沟道

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