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SC92F7462BM20U

产品描述1T 8051内核Flash MCU,16K FLASH ROM,独立128B EEPROM,1KB SRAM
产品类别嵌入式处理器和控制器   
文件大小2MB,共87页
制造商赛元(SOC)
官网地址http://www.socmcu.com/
赛元微电子于2011年1月成立于深圳市科技园南区,是一家专注于Flash MCU IC设计的高科技公司。赛元微电子拥有近20年工业级MCU技术积累,创业团队来源于大陆和中国台湾行业知名企业核心人员。依托国内外IP公司和知名IC代工厂的大力支持,开发出了一系列具有高可靠性、高性价比的工业级通用和专用Flash MCU产品。该系列产品成功被众多行业知名客户使用,广泛应用于大小家用电器、工业控制、电机驱动、医疗健康、安防、消费等多个领域。
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SC92F7462BM20U概述

1T 8051内核Flash MCU,16K FLASH ROM,独立128B EEPROM,1KB SRAM

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SinOne
SC92F7463B/7462B/7461B
高速
1T 8051
内核
Flash MCU
,1
Kbytes SRAM
,16
Kbytes Flash,128 bytes
独立
EEPROM,
12
½
ADC,六路 10
½
PWM,3
个定时器,乘除法器,UART,SSI ,Check
Sum
校验模块
1
总½描述
SC92F7463B/7462B/7461B
( 以 下 简 称
SC92F746XB)是一颗增强型的高速 1T 8051
内核工
业级
Flash
微控制器,指令系统完全兼容传统
8051
产品系列。
SC92F746XB
集成有
16 Kbytes Flash ROM、1
Kbytes SRAM
、128
bytes EEPROM、最多 26
GP I/O、13
IO
可外部中断、3 个
16
½定时器、
11
12
½高精度
ADC、6
路独立
10
½
PWM、内
1%高精度高频 16/8/4/1.33MHz
振荡器和
4%精度
½频
128K
振荡器、可外接晶½振荡器、一个
UART,
一个
UART/SPI/IIC
三选一通信口
SSI。为提高可靠
性及简化客户电路,SC92F746XB 内部也集成有
4
级可选电压
LVR、2.4V
基准
ADC
参考电压等高可靠
电路。SC92F746XB 具有非常优异的抗干扰性½,
非常适合应用于各种½用场合的主控控制,如大小智
½家电和智½家居、物联½、无线通讯、游戏机等工
业控制和消费应用领域。
内建½频
128kHz LRC
振荡器:
可½为
Base Timer
的时钟源,可唤醒
STOP
可½为
WDT
的时钟源
频率误差:跨越
(4.0V ~ 5.5V)
(-20 ~ 85℃)
应用环境,频率误差不超过
±4%
½电压复½(LVR):
复½电压有
4
级可选:分别是:4.3V、3.7V、
2.9V、2.3V
缺省值为用户烧写
Code Option
所选值
Flash
烧写和仿真:
2
线
JTAG
烧写和仿真接口
中断(INT):
Timer0
Timer1
Timer2
INT0~2
ADC
PWM,UART,SSI,Base Timer
11
个中断
外部中断有
3
个中断向量,共
13
个中断口,全
部可设上升沿、下降沿、双沿中断
两级中断优先级可设
数字外围:
最大
26
个双向可独立控制的
I/O
口,可独立设
定上拉电阻
P0、P2
口源驱动½力分四级控制
全部
IO
具有大灌电流驱动½力(70mA)
11
½
WDT,可选时钟分频比
3
个标准
80C51
定时器
Timer0、Timer1
Timer2
Timer2
可实现
Capture
功½
6
路共用周期、单独可调占空比的
10
½
PWM
可同时输出三组互补带死区的
PWM
波½
5
IO
可½为
1/2 BIAS
LCD COM
输出
1
个独立
UART
通信口(可切换
IO
口)
1
UART/SPI/IIC
三选一通讯口
SSI(可切换
IO
口)
集成
16 ×16
½硬件乘除法器
模拟外围:
11
12
½±2LSB
ADC
内建基准的
2.4V
参考电压
ADC
的参考电压有
2
种选择,分别是
V
DD
以及内部
2.4V
内部一路
ADC
可直接测量
V
DD
电压
可设
ADC
½换完成中断
省电模式:
IDLE Mode,可由任½中断唤醒
STOP Mode,由 INT0~2
BaseTimer
唤醒
工½电压:2.4V~5.5V
工½温度:-40
~ 85℃
封装:
SC92F7463B (SOP28/TSSOP28)
SC92F7462B (SOP20/TSSOP20)
SC92F7461B (SOP16)
内核:1T
8051
Flash ROM:16
Kbytes Flash ROM(MOVC
禁止寻
0000H~00FFH)可重复写入 1
万次
IAP:可
code option
0K、0.5K、1K
16K
EEPROM:128
bytes,无需擦除,10
万次写入,10
年以上保存寿½
SRAM:内部
256 bytes+外部 768 bytes
系统时钟(f
SYS
):
内建高频
16MHz
振荡器(f
HRC
½为系统时钟源时,f
SYS
可通过编程器选择
设定为
16/8/4/1.33MHz
频 率 误 差 : 跨 越
(3.0V~5.5V)
(-20 ~
85℃)
应用环境,不超过
±1%
内½高频晶½振荡器电路
可外接
2~16MHz
振荡器
½为系统时钟源时,f
SYS
可通过编程器选择
½用外接晶振
/1 /2 /4 /12
这四种分频中的
一种
IC
系统时钟(f
SYS
)对应的工½电压范围
>
12MHz @2.9~5.5V
12MHz @2.4~5.5V
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2
主要功½
V0.4
http://www.socmcu.com
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