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SL197-1: 产品描述内置 MOSFET 单节锂电池保护 IC; 产品类别电源/电源管理电池保护芯片; 文件大小980KB，共8页; 制造商萨科微(Slkor); 官网地址http://www.slkormicro.com/; 深圳市斯尔科微电子有限公司致力于第三代半导体 SiC 功率器件。我们的产品涵盖分立器件和集成电路、二极管、晶体管、功率器件和电源管理芯片。我们的品牌“Slkor”在半导体行业享有盛誉。我们提供从工业到军事应用的各种产品，包括 SiC 二极管、SiC MOSFET、IGBT、第五代超快恢复功率二极管等。这些产品广泛应用于电动汽车、高端设备、通讯设备等。

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SL197-1概述

内置 MOSFET 单节锂电池保护 IC

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SL197-1

内½

MOSFET

单节锂电池保护

SL19 7-1

内½有高精度电压检测电路和延迟电路，通过检测电池的电压、电流，实现对电池的过

充电、过放电、过电流等保护。适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池的保护电路。



功½特点

高精度电压检测功½：



过充电检测电压

3.5 V ~ 4.5 V

精度

25



过充电迟滞电压

0.2 V

精度

50



过放电检测电压

2.0 V ~ 3.2 V

精度

80



过放电迟滞电压

0.6 V

精度

100

放电过电流检测功½：



过电流检测电压

0.05 V ~ 0.10 V

精度±10mV



短路检测电压

0.400 V

精度±100mV

充电过流检测电压

-0.05 V~-0.10 V

精度±20mV

负½½检测功½

充电器检测功½

充电功½

½½电流消耗：



工½模式

2.2

A

(典型值) (Ta =

25C)



过放电时耗电流（有过放自恢复功½）

0.7

A

(典型值) (Ta =

25C)



休眠电流（有休眠功½）

0.05

A

(典型值) (Ta =

25C)

无铅、无卤素

内½½导通内阻

N-MOSFET



VDS = 16V



ESD Rating：2000V HBM



产品型号

过充电

保护电压

4.275 V

过充电

解除电压

OCR

4.075 V

过放电

保护电压

2.800 V

过放电

解除电压

ODR

3.000 V

表

参数

产品名

SL19 7 -1

RSS

(ON)

60mΩ

放电

过流

EC1

0.050V

短路

SHORT

1.000V

充电

过电流

CHA

-0.050V

过充

锁定

过放

锁定



应用领域



智½穿戴设备

蓝牙耳机



封装



DFN 2*2-6L

www.slkormicro.com

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