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CZT5551

产品类别分立半导体    三极管   
文件大小551KB,共2页
制造商萨科微(Slkor)
官网地址http://www.slkormicro.com/

深圳市斯尔科微电子有限公司致力于第三代半导体 SiC 功率器件。我们的产品涵盖分立器件和集成电路、二极管、晶体管、功率器件和电源管理芯片。我们的品牌“Slkor”在半导体行业享有盛誉。我们提供从工业到军事应用的各种产品,包括 SiC 二极管、SiC MOSFET、IGBT、第五代超快恢复功率二极管等。这些产品广泛应用于电动汽车、高端设备、通讯设备等。

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CZT5551
NPN
Transistor
Epitaxial Planar Transistor
SOT-223
Description
The CZT5551 is designed for general
purpose applications requiring high
breakdown voltages.
REF.
A
C
D
E
I
H
REF.
B
J
1
2
3
4
5
Min.
6.70
2.90
0.02
0C
0.60
0.25
Max.
7.30
3.10
0.10
10 C
0.80
0.35
MAXIMUM RATINGS* (T
amb
=25 C , unless otherwise specified)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Total Power Dissipation
Junction and Storage Temperature
Parameter
Value
180
160
6
600
1.5
-55~-150
o
Min.
Max.
13 T YP.
C
2.30 REF.
6.30
6.70
6.30
6.70
3.30
3.70
3.30
3.70
1.40
1.80
Units
V
V
V
mA
W
O
I
C
P
D
T
J,
T
stg
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb=25 C unlessotherwise
o
specified
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Symbol
V(BR)
CBO
V(BR)
CEO
V(BR)
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
h
FE
h
FE
1
2
3
MIN
180
160
6
_
_
TYP
_
_
_
_
_
_
MAX
_
_
_
UNIT
V
V
V
nA
nA
_
_
_
Test
conditions
Ic= 100u A,I
E
=0
I
C
= 1mA,I
B
=0
I
E
= 10u A,I
C
=0
V
CB
= 120V,I
E
=0
V
EB
= 4V,I
C
=0
V
CE
= 5V, I
C
= 1mA
V
CE
= 5V, I
C
= 10mA
V
CE
= 5V, I
C
= 50mA
I
C
= 10mA,I
B
= 1mA
I
C
= 50mA,I
B
= 5mA
I
C
= 10mA,I
B
= 1mA
I
C
= 50mA,I
B
= 5mA
V
CE
= 10V,I
C
= 10mA ,
f =
100MHz
50
50
_
80
80
50
_
_
_
_
160
_
_
_
_
_
_
_
400
_
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
V
CE
(sat)
1
V
CE
(sat)
2
V
BE
(sat)
1
V
BE
(sat)
2
0.15
0.2
1
1
300
6
V
V
MHz
pF
f
T
Cob
100
_
Collector output capacitance
V
CB
= 10V, f=1MHz,I
E
=0
CLASSIFICATION OF h
FE
Rank
Range
A
N
100-240
C
160-400
80-200
www.slkormicro.com
1
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