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1SS181

产品描述直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V @ 100mA
产品类别分立半导体    通用二极管   
文件大小743KB,共2页
制造商萨科微(Slkor)
官网地址http://www.slkormicro.com/

深圳市斯尔科微电子有限公司致力于第三代半导体 SiC 功率器件。我们的产品涵盖分立器件和集成电路、二极管、晶体管、功率器件和电源管理芯片。我们的品牌“Slkor”在半导体行业享有盛誉。我们提供从工业到军事应用的各种产品,包括 SiC 二极管、SiC MOSFET、IGBT、第五代超快恢复功率二极管等。这些产品广泛应用于电动汽车、高端设备、通讯设备等。

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1SS181概述

直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V @ 100mA

1SS181规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)80V
平均整流电流(Io)100mA
正向压降(Vf)1.2V @ 100mA

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1SS181
SOT-23
FEATURES
Low forward voltage
: V
F(3)
=0.92V(typ.)
Fast reverse recovery time : trr=1.6ns(typ.)
MARKING:
A3
1.
CATHODE
2.
CATHODE
3.
ANODE
Maximum Ratings @T
A
=25℃
Parameter
Non-Repetitive Peak reverse voltage
DC Blocking
Voltage
Symbol
V
RM
V
R
I
FM
I
O
P
D
T
J
T
STG
Limits
85
80
300
100
150
125
-55-125
Unit
V
V
mA
mA
mW
Forward Continuous Current
Average Rectified Output Current
Power Dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Electrical Characteristics @T
A
=25℃
Parameter
Reverse Breakdown Voltage
Symbol
V
(BR)R
V
F1
Forward voltage
V
F2
V
F3
I
R1
Reverse current
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
I
R2
C
T
t
rr
2.2
1.6
Min.
80
0.61
0.74
0.92
1.2
0.1
0.5
4.0
4.0
Typ.
Max.
Unit
V
V
V
V
uA
uA
pF
ns
I
R
=100μA
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
V
R
=30V
V
R
=80V
V
R
=0,f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA,I
rr
=0.1×I
R
Conditions
www.slkormicro.com
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