Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 三极管> SEBT8050

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SEBT8050: 产品描述晶体管类型：NPN 集电极电流Ic：1.5A 集射极击穿电压Vce：30V 额定功率：625mW; 产品类别分立半导体三极管; 文件大小577KB，共4页; 制造商光宇睿芯(SINO-IC); 官网地址http://www.sino-ic.net; 上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一，应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。

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SEBT8050概述

晶体管类型：NPN 集电极电流Ic：1.5A 集射极击穿电压Vce：30V 额定功率：625mW

SEBT8050规格参数

参数名称	属性值
晶体管类型	NPN
集电极电流Ic	1.5A
集射极击穿电压Vce	30V
额定功率	625mW

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SHANGHAI

MICROELECTRONICS CO., LTD.

June 2006

SEB T8050

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

Features

Complementary to SEBT8550

Applications

●

HIGH CURRENT APPLICATION

Construction

●

Maximum Ratings (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Emitter Current

Collector Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature Range

SYMBOL

CBO

RATING

UNIT

℃

CEO

EBO

stg

Symbol

CBO

（

）

CBO

（

）

CEO

(1)

(Note)

(2)

CE(sat)

C :100~200,

1500

-800

625

150

-55½ +150

Test Condition

=15v

=0.5mA

=1mA

=1v, I

=50mA

=1v, I

=350mA

=500mA, I

=20mA

=1v, I

=500mA

=5v, I

=10mA

=10V, f=1MHz,

MIN

-35

-30

100

TYP.

120

MAX

300

0.5

1.2

Electrical characteristics (Ta=25℃)

Characteristic

Collector Cut-off Current

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

DC Current Gain

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

Transition Frequency

Collector Output Capacitance

Note: hFE(1) Classification

UNIT

MHz

D : 150~300

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