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SE40300GTS

产品描述漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):288A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小398KB,共7页
制造商光宇睿芯(SINO-IC)
官网地址http://www.sino-ic.net
上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一,应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。
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SE40300GTS概述

漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):288A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道

SE40300GTS规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)288A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻2mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)250W
类型N沟道

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SE40300GTS
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Revision: A
General Description
Thigh Density Cell Design For Ultra Low
On-Resistance Fully Characterized Avalanche
Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM
Simple Drive Requirement
Small Package Outline
Surface Mount Device
Features
For a single MOSFET
V
DS
= 40V
R
DS(ON)
= 1.7mΩ @ V
GS
=10V
Pin configurations
See Diagram below
TO-247S
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
Continuous
Pulsed
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
dv/dt
@TA=25℃
P
D
T
J
Rating
40
±20
288
780
1080
5
250
-55 to 150
Units
V
V
A
mJ
V/ns
W
Single Pulse Avalanche Energy
Peak Diode Recovery
Total Power Dissipation
Operating Junction Temperature Range
ShangHai Sino-IC Microelectronic Co., Ltd.
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