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SE2305

产品描述MOS管 场效应管 -20V P沟道
产品类别分立半导体   
文件大小352KB,共6页
制造商光宇睿芯(SINO-IC)
官网地址http://www.sino-ic.net
上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一,应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。
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SE2305概述

MOS管 场效应管 -20V P沟道

功能特点

产品名称:MOS管 场效应管 -20V P沟道


产品型号:SE2305


产品描述:


SE2305 is produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications such as portable equipment, power management and other battery powered circuits, and low in-line power dissipation are needed in a very small outline surface mount


.产品特征:


VDS= -20V


RDS(on)= 52mΩ @VGS= -1.8V,ID = -2A


RDS(on)= 40mΩ @VGS= -2.5V,ID = -4.1A


RDS(on) = 35mΩ@VGS= -4.5V ,ID = -4.7A



产品应用:


Load Switch


A Switch and Battery Switch for Portable Devices



封装:SOT23-3


SE2305规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.7A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻52mΩ @ 2A,1.8V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
类型P沟道

SE2305文档预览

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SHANGHAI
MICROELECTRONICS CO., LTD.
July 2005
SE2305
20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Revision:A
General Description
SE2305 is produced with high cell density
DMOS trench technology, which is especially
used to minimize on-state resistance. This
device particularly suits low voltage
applications such as portable equipment,
power management and other battery
powered circuits, and low in-line power
dissipation are needed in a very small outline
surface mount
.
Features
V
DS
= -20V
R
DS(on)
= 52mΩ @V
GS
= -1.8V,I
D
= -2A
R
DS(on)
= 40mΩ @V
GS
= -2.5V,I
D
= -4.1A
R
DS(on)
= 35mΩ@V
GS
= -4.5V
,I
D
= -4.7A
Application
Load Switch
A Switch and Battery Switch for Portable
Devices
Pin configurations(
SOT23-3
)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current (Note 1)
Total Power Dissipation
Continuous
Pulsed
@TA=25°C
@TA=75°C
Operating Junction Temperature Range
T
J
P
D
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
Rating
-20
±12
-4.7
-20
1.25
0.8
-55 to 150
°C
W
Units
V
V
A
ShangHai Sino-IC Microelectronics Co., Ltd.
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