Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> SE8830A

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SE8830A: 产品描述漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 5A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小501KB，共10页; 制造商光宇睿芯(SINO-IC); 官网地址http://www.sino-ic.net; 上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一，应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。

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SE8830A概述

漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 5A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道

SE8830A规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	7A
栅源极阈值电压	1.2V @ 250uA
漏源导通电阻	16mΩ @ 5A,2.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）	1.5W
类型	双N沟道

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SHANGHAI

MICROELECTRONICS CO., LTD.

Feb 2013

SE8830T/8830A SED8830MP/8830/8830P/SED8830N

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Revision:A

8830 Series Pin Assignment

Features

For a single mosfet

●V

DSS

= 20 V

●R

DS(ON)

< 14.5mΩ

@Ids=7A

DS(ON)

< 16.0mΩ

@Ids=5A

=2.5V

=4.5V

TSSOP-8 SE8830T

SOT23-6 SE8830A

Applications

●Battery

protection

●Load

switch

●Power

management

DFN3X3 SED8830MP

DFN2X5 SED8830

Construction

●Silicon

epitaxial

planer

DFN2X5 SED8830P

DFN2X3-6 SED8830N

ShangHai Sino-IC Microelectronics Co., Ltd.

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