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SE3407

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小599KB,共8页
制造商光宇睿芯(SINO-IC)
官网地址http://www.sino-ic.net
上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一,应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。
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SE3407概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道

SE3407规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.1A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻65mΩ @ 4.1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W
类型P沟道

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SE3407
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Revision: A
General Description
Advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and low
operation voltage. This device is suitable for
using as a load switch or in PWM applications.
Simple Drive Requirement
Small Package Outline
Surface Mount Device
Pin configurations
See Diagram below
Features
For a single MOSFET
V
DS
= -30V
R
DS(ON)
= 40mΩ @ V
GS
=-10V
D
G
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
Total Power Dissipation
S
SOT-23 and SOT23-3
Symbol
V
DS
V
GS
Rating
-30
±20
-4.1
-20
1.4
-55 to 150
Units
V
V
A
W
Continuous
Pulsed
@TA=25℃
I
D
P
D
T
J
Operating Junction Temperature Range
ShangHai Sino-IC Microelectronic Co., Ltd.
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