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SE2N7002

产品描述MOS管 场效应管 60V 300mA N沟道
产品类别分立半导体   
文件大小265KB,共4页
制造商光宇睿芯(SINO-IC)
官网地址http://www.sino-ic.net
上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一,应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。
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SE2N7002概述

MOS管 场效应管 60V 300mA N沟道

功能特点

产品名称:MOS管 场效应管 60V 300mA N沟道


产品型号:SE2N7002


产品描述:


The MOSFETs from SINO-IC provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness.


产品特征:


VDS (V) = 60V


ID =300mA


RDS(ON) < 2Ω (VGS = 10V, ID=0.5A)


RDS(ON) < 3Ω (VGS = 5V, ID=0.05A)



封装:SOT-23


SE2N7002规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)300mA
栅源极阈值电压850mV @ 250uA
漏源导通电阻2Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)350mW
类型N沟道

SE2N7002文档预览

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SHANGHAI
MICROELECTRONICS CO., LTD.
July 2008
SE2N7002
60V,300mA
N-Channel MOSFET
Revision:A
General Description
The MOSFETs from SINO-IC provide
the best combination of fast switching, low
on-resistance and cost-effectiveness.
Features
V
DS (V)
= 60V
I
D
= 300mA
R
DS(ON)
< 2Ω (V
GS
= 10V,I
D
=0.5A)
R
DS(ON)
< 3Ω (V
GS
= 5V,I
D
=0.05A)
Pin configurations
See Diagram below
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current (Note 1)
Total Power Dissipation
Operating Junction Temperature Range
Continuous
Pulsed
P
D
T
J
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
Rating
60
±20
300
800
350
-55 to 150
mW
°C
Units
V
V
mA
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient A
t
5s
Symbol
R
θ
JA
Typ
357
Max
-
Units
°C/W
ShangHai Sino-IC Microelectronics Co., Ltd.
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