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SEDFN05V4: 产品描述超低电容TVS; 产品类别分立半导体; 文件大小255KB，共4页; 制造商光宇睿芯(SINO-IC); 官网地址http://www.sino-ic.net; 上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一，应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。

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SEDFN05V4概述

超低电容TVS

功能特点

产品名称：超低电容TVS

产品型号：SEDFN05V4

产品描述：

SEDFN05V4 are ultra low capacitance TVS arrays designed to protect high speed data interfaces.This series has been specifically designed to protect sensitive components which are connected to high-speed data and transmission lines form overvoltage caused by ESD(electrostatic discharge),CDE(Cable Discharge Events),and EFT(electrical fast transients)

产品特征：

Package design optimized for high speed lines

Flow-Through design

Protects four I/O lines

Low capacitance: 0.3pF typical (I/O to I/O)

Low clamping voltage

Low operating voltage: 5V

Solid-state silicon-avalanche technology

产品应用：

High Definition Multi-Media Interface (HDMI).

Digital Visual Interface (DVI)

DisplayPortTM Interface

MDDI Ports

LVDS

Serial ATA

PCI Express

符合标准：

IEC61000-4-2

Level 4 15 kV (air discharge)

8 kV(contact discharge)

MIL STD 883E - Method 3015-7 Class 3

25 kV HBM (Human Body Model)

SEDFN05V4规格参数

参数名称	属性值
箝位电压	15V
击穿电压（最小值）	6V
反向关断电压（典型值）	5V

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SHANGHAI

MICROELECTRONICS CO., LTD.

August 2005

SEDFN05V4

Ultra Low Capacitance TVS Arrays

Features

Package design optimized for high speed lines

Flow-Through design

Protects four I/O lines

Low capacitance: 0.3pF typical (I/O to I/O)

Low clamping voltage

Low operating voltage: 5V

Solid-state silicon-avalanche technology

Revision:A

Applications

High Definition Multi-Media Interface (HDMI).

Digital Visual Interface (DVI)

DisplayPortTM Interface

MDDI Ports

LVDS

Serial ATA

PCI Express

Complies with the following standards

General Description

SEDFN05V4 are ultra low capacitance TVS arrays

designed to protect high speed data interfaces.This

series has been specifically designed to protect

sensitive

high-speed

overvoltage

components

data

and

caused

which

are

connected

lines

transmission

Discharge

form

IEC61000-4-2

Level 4

15 kV (air discharge)

8 kV(contact discharge)

MIL STD 883E - Method 3015-7 Class 3

25 kV HBM (Human Body Model)

ESD(electrostatic

Events),and

discharge),CDE(Cable

EFT(electrical fast transients)

Functional diagram

Absolute Maximum Ratings

Symbol

P pk

I PP

V ESD

T STG

Parameter

Peak Pulse Power (tp = 8/20μs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20μs)

ESD per IEC 61000-4-2 (Air)

ESD per IEC 61000-4-2 (Contact)

Operating Temperature

Storage Temperature

Value

150

+/- 17

+/- 12

-55 to +125

-55 to +150

°C

Units

Watts

ShangHai Sino-IC Microelectronics Co., Ltd.

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